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张志勇

作品数:74 被引量:59H指数:5
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 48篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 3篇学位论文
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领域

  • 17篇电子电信
  • 11篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 43篇纳米
  • 31篇碳纳米管
  • 31篇纳米管
  • 29篇晶体管
  • 23篇场效应
  • 23篇场效应晶体管
  • 12篇石墨
  • 12篇石墨烯
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  • 7篇沟道
  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器

机构

  • 68篇北京大学
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  • 4篇北京元芯碳基...
  • 4篇北京华碳元芯...
  • 2篇国网山东省电...
  • 2篇南瑞集团有限...
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 74篇张志勇
  • 54篇彭练矛
  • 33篇王胜
  • 14篇梁学磊
  • 13篇陈清
  • 12篇徐慧龙
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  • 5篇邱晨光
  • 5篇胡又凡
  • 4篇石润伯
  • 4篇王振兴
  • 4篇司佳
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  • 3篇姚昆
  • 2篇丁力
  • 2篇姚琨
  • 2篇张盼盼
  • 2篇黄乐
  • 1篇孙中化
  • 1篇魏贤龙

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇北京大学学报...
  • 2篇物理
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理化学学报
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  • 1篇新材料产业
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 1篇2024
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  • 3篇2019
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  • 6篇2015
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  • 5篇2012
  • 6篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 5篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
74 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法
本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法,氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道,在沟道区域生长一层金属钇薄膜,然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇,得到的氧化钇...
王振兴张志勇彭练矛王胜
文献传递
一种基于碳纳米管的光电器件、光电集成电路单元及电路
本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件,以碳纳米管作为导电通道,其一端具有高功函数金属电极,另一端具有低功函数金属电极,通过简单的结构即可实现多种功能器件,包括但不限于双极性场效应晶体管、无阻双极性二极管、发光二极管和光探...
彭练矛梁学磊张志勇王胜陈清
文献传递
RF SET超灵敏静电计
2003年
单电子晶体管 (SET)作为灵敏静电计的灵敏度受到噪声的限制 ,其中散粒噪声 (shotnoise)是本征噪声 ,决定着单电子晶体管灵敏度的极限 .利用射频 (radiofrequency ,RF)单电子晶体管的极高的工作频率 ,可以消除SET的 1/f噪声 ,从而达到极限灵敏度 .利用一级低温低噪声放大器和一级室温放大器放大工作在反射模式的射频单电子晶体管的输出信号 ,使用LC共振电路 ,抬高了SET右边的整个微波系统的阻抗 ,使之与单电子的输出阻抗匹配 ,从而提高了RFSET静电计的灵敏度 .
张志勇王太宏
关键词:灵敏度散粒噪声库仑阻塞电测量
碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法,该方法将碳纳米管平行阵列材料自组装在三维鳍状绝缘衬底表面,有效增加了单位器件宽度上碳纳米管的数目,从而显著增大了碳纳米管晶体管器件的驱动电流。与常规平面碳纳米管器...
邱晨光张盼盼张志勇彭练矛
文献传递
纳米电子器件中的噪声及其应用研究被引量:4
2003年
对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双势垒共振隧穿二极管在负微分电阻区的散粒噪声大于Poisson值的本质。
张志勇王太宏
关键词:纳米电子器件散粒噪声单电子晶体管碳纳米管热噪声
一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法
本发明提出一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法,是利用当碳纳米管与金属接触时,半导体性碳纳米管会形成肖特基势垒,而金属性碳纳米管则不会,故半导体性碳纳米管接触形成的电阻更大,造成同样电压下半导体性碳纳米管电流比金属...
仲东来张志勇彭练矛王胜
文献传递
一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
文献传递
基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法
本发明提供一种基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法。该光电探测器以半导体纳米材料作为电极之间的导电沟道,至少一端的电极采用等离激元增强电极结构,该等离激元增强电极结构采用斧状周期结构。在制备该光电探测器...
黄慧鑫王胜张志勇彭练矛
文献传递
石墨烯的量子电容被引量:1
2012年
量子电容在半导体纳米材料和器件中是一个日趋重要的参数,测量和提取石墨烯的量子电容,不仅可以得到石墨烯的重要物理性质,而且对石墨烯晶体管的尺寸缩减行为具有重要指导意义.文章中采用简单工艺在石墨烯上制备出均匀超薄的高质量Y2O3栅介质,其等效栅氧厚度(EOT)可缩减至1.5nm,通过控制栅介质厚度的变化,精确测量并提取了石墨烯量子电容,其电容值在远离狄拉克点时与理论计算相符合;在此基础上,文章作者提出了基于电势涨落的量子电容微观模型,通过采用单一参数——电势涨落δV,可以定量地描述Dirac点附近的量子电容行为,从而在全能量范围内实现对石墨烯量子电容测量值的完美拟合,并得到了石墨烯的相关重要参数.进而,作者从量子电容的角度,探索了石墨烯晶体管的性能极限,并比较其相对于Ⅲ-Ⅴ族场效应晶体管的潜在优势.
邱晨光徐慧龙张志勇彭练矛
关键词:石墨烯Y2O3
场效应晶体管生物传感器及其制备方法、检测方法
本公开提供一种场效应晶体管生物传感器,其包括:基底层,沟道层,第一电极,第二电极,第三电极,混合探针层,连接质,第三电极包括沟道层与栅介质层,混合探针层包括至少一种混合探针分子,每个混合探针分子包括多个不同种类的探针分子...
肖梦梦张志勇梁玉琪
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