黄青松
- 作品数：17 被引量：14H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信交通运输工程更多>>
- 在碳化硅衬底上外延大面积、均匀石墨烯
- 石墨烯,一种完美二维晶体,由于其优异的电学性质,被认为是非常有前途的纳米电子材料,并且有希望代替硅成为下一代大规模集成电路的材料。目前,制备石墨烯的方法主要有:剥离法,化学分离法以及碳化硅外延法等。其中前两种方法制备的石...
- 贾玉萍林菁菁李康黄青松郭丽伟陈小龙
- 文献传递
- 高质量碳化硅表面的获得方法
- 本发明是在碳化硅单晶表面形成原子级台阶的一种方法。将基本的平表面经研磨或抛光后，暴露在氢气下保温。流动的氢气在与碳坩埚反应的同时，也对样品进行氢蚀，直至消除表面因机械加工而引起的损伤和划痕。进一步的氢蚀会在表面形成原子级...
- 陈小龙黄青松郭丽伟王锡铭郑红军
- SiC表面氢蚀研究
- SiC材料的表面态严重影响SiC器件的电学性能,氢饱和表面悬挂键能有效降低界面态密度。用氢蚀的方法可以去除抛光过程中在SiC基底表面形成的损伤层。本文通过使用流动的氢、氩气混合气体,在1500℃左右,对抛光后的SiC晶片...
- 娄艳芳黄青松贾玉萍林菁菁陈小龙
- 文献传递
- 一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法
- 本发明提供了一种用于高质量抛光碳化硅晶片表面的抛光液、抛光液的制备方法以及使用该抛光液的方法。该抛光液由去离子水、二氧化硅抛光液、辅助氧化剂、PH调节剂配制而成。利用此方法配制的抛光液无气味，分散均匀，状态稳定，无沉淀，...
- 张贺陈小龙黄青松王锡铭
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- 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
- 2012年
- 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
- 彭同华刘春俊王波王锡铭郭钰赵宁李龙远刘宇黄青松贾玉萍王刚郭丽伟陈小龙
- 关键词：SIC晶体单晶生长晶片加工磁性
- 高质量碳化硅表面的获得方法
- 本发明是在碳化硅单晶表面形成原子级台阶的一种方法。将基本的平表面经研磨或抛光后，暴露在氢气下保温。流动的氢气在与碳坩埚反应的同时，也对样品进行氢蚀，直至消除表面因机械加工而引起的损伤和划痕。进一步的氢蚀会在表面形成原子级...
- 陈小龙黄青松郭丽伟王锡铭郑红军
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- SiC外延石墨烯的XPS研究
- 石墨烯(graphene)是C原子SP杂化、紧密堆积而成的单层蜂窝状结构的准二维晶体,具有诸如无质量的狄拉克费米子,弹道输运,室温量子霍尔效应,高迁移率等奇特性质。所以当2004年首次采用石墨剥离法制备出石墨烯,并在实验...
- 李康林菁菁贾玉萍黄青松郭丽伟陈小龙
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- 碳化硅衬底上外延生长碳膜的研究
- 碳膜由于其优异的性能,引起了人们广泛的关注。类金刚石碳膜具有良好的力学、热学及光学性能,在机械制造、磁性存储及光学窗口等方面有很大应用潜力。类石墨类碳膜在电化学方面有很大的应用前景,如超级电容器、传感器及燃料电池等。同时...
- 王顺冲黄青松王刚陈小龙
- 文献传递
- 高长宽比的石墨烯条带的制备
- 石墨烯,零带隙的二维半导体材料,由于其特殊的电子结构,从而使它具有高迁移率(大于15000cmV)、弹道输运以及反常量子霍尔效应等新奇的电学性质,有望成为替代硅的下一代集成电路材料。石墨烯条带,由于量子限域效应以及边缘效...
- 林菁菁贾玉萍李康黄青松郭丽伟陈小龙
- 关键词：石墨烯半导体材料电子结构电子束刻蚀
- 一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀
- 本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善晶体表面和平整度的方法。该方法通过碳化硅单晶的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、应力和损伤层，从而碳化硅晶片的平整度能够调整到T...
- 陈小龙黄青松王波王锡铭李龙远郑红军郭钰
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