俞斐
- 作品数：13 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 生长温度对Si_(1-x)Ge_x:C薄膜特性的影响
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si_(1-x)Ge_x:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si_(...
- 葛瑞萍韩平吴军俞斐赵红谢自力张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积生长温度载流子
- 文献传递
- 4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性
- 2008年
- 用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示Si1-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。
- 俞斐吴军韩平王荣华葛瑞萍赵红俞慧强谢自力徐现刚陈秀芳张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
- 生长温度对Si_(1-x)Ge_x∶C薄膜特性的影响
- 2008年
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex∶C合金层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明,Si1-xGex∶C合金层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;Si1-xGex∶C合金薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。Si1-xGex∶C/Si样品载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex∶C合金层总体呈p型导电,对其导电分布特性进行了分析研究。
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- 关键词：化学气相淀积生长温度载流子
- 生长温度对Si1-zGez:C薄膜外延生长的影响
- 本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xG...
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- 关键词：化学气相淀积生长温度载流子浓度X射线衍射
- 文献传递
- 化学气相淀积材料生长设备的反应源进气分配方法与装置
- CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生...
- 韩平吴军王荣华王琦于乐俞斐赵红华雪梅谢自力修向前张荣郑有炓
- 文献传递
- Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
- 2009年
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-xGex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。
- 葛瑞萍韩平吴军王荣华俞斐赵红俞慧强谢自力张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积生长温度
- AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延被引量：1
- 2009年
- 利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3。
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- 关键词：化学气相淀积
- 4H-Si1-yCy合金的生长及特性
- 用化学气相淀积（CVD）法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压（ECV）方法,以及俄歇电子能谱（AES）等方法对所得的样品进行...
- 俞斐吴军韩平王荣华葛瑞萍赵红俞慧强谢自力徐现刚陈秀芳张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
- 文献传递
- CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法
- CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材...
- 韩平于乐吴军王琦王荣华俞斐赵红胡立群华雪梅谢自力修向前张荣郑有炓
- 文献传递
- CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法
- CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材...
- 韩平于乐吴军王琦王荣华俞斐赵红胡立群华雪梅谢自力修向前张荣郑有炓
- 文献传递
