冯翔
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
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- 去润湿图案化制备TIPS-并五苯有机薄膜晶体管
- 2013年
- 利用润湿/去润湿的方法配合旋涂工艺制备了图案化的TIPS-并五苯有机半导体薄膜,制备了顶接触有机薄膜晶体管(OTFTs)。金相显微镜观察发现,转速的选择对TIPS-并五苯薄膜结晶形貌的影响较大。在1 000～2 000r/min转速下制备的薄膜完整性好,结晶区域较大;而转速增加到3 000r/min后,难以获得完整的薄膜且晶粒尺寸变小。电学性能研究得到器件的输出曲线、转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率,发现结晶形貌好的器件具有更好的电学性能。1 000r/min转速下制备OTFT器件最大场效应迁移率为5.16×10-2 cm·V-1·s-1,电流开关比为8×103。
- 冯翔林广庆张俊李曼菲邱龙臻
- 关键词：有机薄膜晶体管电性能
- 一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管制备方法
- 一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法，包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置，其特征在于：所述的有机半导体薄膜的形成是将有机半导体材料Tips-并五苯和高分子聚合物按4∶1-1∶1的质...
- 邱龙臻冯翔林广庆吕国强
- 自修饰的去润湿图案化有机薄膜晶体管
- <正>本文提出了一种新的图案化工艺,自修饰的去润湿图案化法。即通过改变基片表面不同区域的表面能来形成可供有机半导体溶液自行选择停留的润湿区和去润湿区,实现半导体薄膜图案化。这种图案化的方法精度较高,制备速度快,制备环境温...
- 王迎冯翔邱龙臻
- 关键词：有机薄膜晶体管
- 文献传递
- 自修饰的去润湿图案化有机薄膜晶体管
- 王迎冯翔邱龙臻
- 关键词：有机薄膜晶体管
- 溶液法制备有机薄膜晶体管及其图案化与性能研究
- 基于溶液法制备的有机薄膜晶体管从出现一开始就引起了人们的普遍关注，它不仅传承了有机半导体可溶液加工的优点，而且通过与另外一种功能性的绝缘高分子材料共混，节约材料，提高环境稳定性的同时，又可以和去润湿图案化的技术结合，制备...
- 冯翔
- 关键词：有机薄膜晶体管
- 文献传递
- 一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管制备方法
- 一种一步实现图案化和自修饰界面的有机薄膜晶体管的制备方法，包括硅基片的表面处理、有机半导体薄膜的形成和电极的配置，其特征在于：所述的有机半导体薄膜的形成是将有机半导体材料Tips-并五苯和高分子聚合物按4∶1-1∶1的质...
- 邱龙臻冯翔林广庆吕国强
- 文献传递
- 表面修饰制备高性能薄膜晶体管被引量：6
- 2013年
- 应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管。原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响。在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200～400nm。大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能。表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过106,最大场效应迁移率约可达1.23cm2.V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8cm2.V-1·s-1。
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- 关键词：有机薄膜晶体管电性能
