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刘智

作品数：73 被引量：16H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇专利
  • 12篇会议论文
  • 9篇期刊文章

领域

  • 36篇电子电信
  • 5篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 21篇探测器
  • 20篇光电
  • 20篇硅基
  • 19篇波导
  • 17篇电极
  • 14篇衬底
  • 13篇光电探测
  • 13篇锗
  • 12篇填埋
  • 12篇填埋层
  • 12篇光电探测器
  • 11篇钙钛矿
  • 10篇掺杂
  • 8篇调制器
  • 8篇硅材料
  • 8篇发光
  • 7篇雪崩
  • 7篇硅衬底
  • 6篇调制
  • 6篇雪崩光电探测...

机构

  • 73篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...

作者

  • 73篇刘智
  • 71篇成步文
  • 42篇郑军
  • 36篇薛春来
  • 31篇左玉华
  • 19篇李传波
  • 16篇王启明
  • 6篇李亚明
  • 6篇何超
  • 2篇张旭
  • 2篇张旭
  • 2篇王启明
  • 1篇尹小杰
  • 1篇郝沁汾
  • 1篇张广泽
  • 1篇胡炜玄
  • 1篇张大林
  • 1篇杨帆
  • 1篇黄文奇

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇第十二届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国光学
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 10篇2023
  • 12篇2022
  • 12篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
共 73 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅基宽光谱探测器及制备方法
一种硅基宽光谱探测器及制备方法，该硅基宽光谱探测器，包括：一SOI衬底，包括一底部Si材料层和制作在其上的二氧化硅填埋层以及制作在二氧化硅填埋层上的顶层硅，该顶层硅位于二氧化硅填埋层的中间，该二氧化硅填埋层的两侧形成台面...
刘智成步文何超李传波薛春来王启明
锡自催化横向生长的硅基无位错GeSn材料
余凯丛慧刘智薛春来成步文王启明李传波
一种硅基电吸收调制器及其制备方法
本发明提供了一种硅基电吸收调制器及其制备方法。该调制器基于电吸收的方式利用电压调节半导体的光吸收系数，从而实现光信号强度的调节。由于硅是一种弱电光材料，因此引入了在通信波段C波段有显著的电光吸收调节效应，同时与现CMOS...
刘智成步文薛春来
硅基锗激光器及其制备方法
本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；...
刘智成步文李传波李亚明薛春来左玉华王启明
文献传递
半导体红外探测器及其制备方法
本发明提供了一种半导体红外探测器，应用于半导体技术领域，包括：硅基衬底，硅基衬底上依次外延有p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层，该p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层在该硅基衬底上形成台面结构，该p型锗锡接...
郑军刘智成步文
大失配体系硅基无位错异质外延方法
一种大失配体系无位错异质外延方法，包括以下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：清洗，将清洗干净的硅衬底装入高真空生长室中；步骤3：对硅衬底进行脱氧处理；步骤4：在硅衬底上生长金属催化剂；步骤5：退火；步骤6：在生长了金属催...
张大林李传波刘智张东亮成步文王启明
文献传递
表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法
本发明提供一种表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法，涉及光电材料技术领域。该方法包括：步骤S1，制得初始钙钛矿薄膜；步骤S2，使用真空热蒸发法在该初始钙钛矿薄膜表面制备LiF薄膜，得到表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿...
陈丹杨亚洲叶正澜刘香全左玉华郑军刘智成步文
雪崩光电探测器及其制备方法
一种雪崩光电探测器及其制备方法。一种雪崩光电探测器，包括：SOI衬底，SOI衬底包括多层含Si层；掺杂层，设置在SOI衬底的上部，并包括：倍增区；n型掺杂区，设置在倍增区的横向一侧，n型掺杂区设有与倍增区具有相同厚度的阶...
庞雅青刘智成步文郑军
用于碳基钙钛矿太阳能电池的介孔碳电极及其制备方法
一种用于碳基钙钛矿太阳能电池的介孔碳电极及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：(1)制备含有纤维素和任选的NiO<Sub>X</Sub>或WO<Sub>y</Sub>纳米材料的碳电极浆料，其中，x为1～1.5；y为2～3...
周琳刘陶然左玉华郑军刘智成步文
文献传递
溅射外延法制备Ⅳ族Sn化合物单晶薄膜
Ⅳ族Sn化合物主要包括锗锡(Ge1-xSnx)二元合金和锗硅锡(Ge1-x-ySixSny)三元合金。这种Ⅳ族材料在硅基激光器、调制器、中红外探测器、太赫兹等方面有重要应用前景,引起了研究人员的广泛关注。目前Ⅳ族Sn化合...
郑军刘智薛春来左玉华李传波成步文王启明
文献传递
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