卓世异
- 作品数：28 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法
- 本发明提供一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法，该定向切割装置包括：夹持晶锭的夹具；控制首片厚度的影像监测系统，以及对所述晶锭进行切割的多线切割机，夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座，所述影像监测系统将...
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- N-B-Al共掺荧光4H-SiC施主受主对发光性能研究被引量：1
- 2017年
- 施主受主共掺杂的荧光4H-SiC可以通过复合发出可见光,影响其发光性能的一个重要因素是施主–受主掺杂的浓度。本研究通过PVT生长方法制备了3英寸N-B-Al共掺的4H-SiC晶体,采用Raman光谱、SIMS对晶体的结晶类型和掺杂浓度进行了表征;采用PL发射谱和激发谱、荧光衰减曲线表征和内量子效率对晶体的发光波长、强度、施主–受主对复合发光性能进行了研究。结果发现,低浓度Al掺杂样品在室温下发出黄绿色荧光。低浓度Al掺杂在晶体中提供较少的受主;高浓度B、N掺杂形成施主,从而贡献充足的电子–空穴对。这些电子–空穴的复合提高了施主–受主对复合的内量子效率,进而增强光致发光强度,增加平均发光寿命。
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- 关键词：碳化硅光致发光内量子效率
- 锗酸铋晶片的清洗工艺
- 本发明涉及一种锗酸铋晶片的清洗工艺，所述清洗工艺包括：采用二级去离子水对所述锗酸铋晶片进行清洗以去除表面粘附力较弱的大块污染物的初步清洗步骤；采用航空煤油对所述锗酸铋晶片进行清洗以去除表面有机物油污的第二清洗步骤；采用C...
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- 文献传递
- SiC同质外延薄膜中Ehrlich-Schwoebel势垒的计算
- 台阶位置和平面位置原子构型的区别,在台阶位置存在额外的势垒,即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒。ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响,不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最大生长速率,还会影响生长过程中台阶...
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- 关键词：4H-SIC分子动力学模拟
- 文献传递
- 一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置
- 本实用新型提供了一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置，包括：夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；以及吸附于磨床的基底；其中，所述偏角调节模块为双正弦模块。本实用新型可保证碳化硅晶体偏角晶面的一次定向成型，避免了常规偏...
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- 文献传递
- 质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响被引量：1
- 2018年
- 采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb掺杂ZnO薄膜,并采用不同剂量质子对薄膜进行了辐照实验,重点采用X射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜的缺陷和磁性能进行了研究。磁性测试结果表明:Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜经质子辐照后其饱和磁化强度随辐照剂量的增加逐渐增大,当辐照剂量为6×10^(15) ions/cm^2时,其饱和磁化强度达到最大,随着辐照剂量的进一步增加,其饱和磁化强度反而变小。正电子湮灭图谱结果显示薄膜中主要存在锌空位相关的缺陷,并且锌空位相关的缺陷随辐照剂量的变化与饱和磁化强度随辐照剂量的变化相一致。本研究从实验上揭示了在含有各种缺陷的Yb掺杂ZnO薄膜中,锌空位缺陷是影响质子辐照Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜磁性的主要原因。
- 陈卫宾刘学超刘学超卓世异施尔畏
- 关键词：质子辐照稀磁半导体铁磁性
- SiC同质外延薄膜中Ehrlich-Schwoebel势垒的计算
- 台阶位置和平面位置原子构型的区别，在台阶位置存在额外的势垒，即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒.ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响，不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最大生长速率，还会影响生长过程中台阶...
- 郭慧君黄维刘熙卓世异周仁伟郑燕青施尔畏
- 关键词：4H-SIC分子动力学模拟
- 分步生长弱磁性Fe-V共掺杂SiC晶体的方法
- 本发明涉及分步生长弱磁性Fe‑V共掺杂SiC晶体的方法，所述方法包括：（1）将高纯SiC晶体块、Fe粉和V粉混合后置于坩埚底部作为晶料，并在所述晶料表面平铺一层碳化硅粉体，再以6H‑SiC晶片作为籽晶，采用物理气相运输法...
- 卓世异刘学超严成锋施尔畏
- 文献传递
- 蓝宝石及碳化硅等硬质晶体原子台阶表面抛光机理
- 蓝宝石(Al2O3)和碳化硅(SiC)作为新一代高性能单晶衬底材料,已越来越为人们所广泛关注。而衬底的表面加工质量直接影响其上外延层的质量,从而影响最终的器件性能。本文在比较研究蓝宝石和碳化硅在晶体结构、硬度、刚度以及其...
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- 文献传递
- 气囊式晶片粘结助压手柄
- 本实用新型提供一种气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。本实用新型用于晶...
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