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Co，Sn共掺ZnO薄膜结构与光致发光的研究被引量：8: 2011年; 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Sn掺杂ZnO系列薄膜.通过金相显微镜和X射线衍射(XRD)研究了Co与Sn掺杂对薄膜的表面形貌和微结构的影响.XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,特别Sn单掺ZnO薄膜的c轴择优取向最为显著,而且晶粒尺寸最大.XPS测试表明样品中Co和Sn的价态分别为2+和4+,证实Co2+,Sn4+进入了ZnO的晶格.室温光致发光谱(PL)显示在所有的样品中都有较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,而在纯ZnO及Co掺杂ZnO薄膜样品中还观察到了较强的紫外发光峰.此外,通过Co,Sn掺杂的控制能够调整薄膜的禁带宽度,进而使得蓝光发光峰发生了位移;同时,掺杂还将影响薄膜中氧位错、锌空位和锌填隙缺陷,因此控制掺杂浓度可以调控薄膜的发光特性.最后,还探讨了不同波段光发射的可能机理.; 吴艳南徐明吴定才董成军张佩佩纪红萱何林; 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶光致发光

过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的发光特性被引量：4: 2010年; ZnO是一种宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体,具有良好的光电耦合特性和稳定性,在光、电、磁功能集成等新型器件方面可获得重要应用。近来的研究表明,过渡金属掺杂的ZnO基半导体有望成为实现高居里温度稀磁半导体的候选材料,是目前研究的热点。总结了近几年人们在Fe、Co、Ni、Cu、Mn等过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的发光特性研究结果,讨论了过渡金属掺杂后ZnO中观察到的可见发光机制,分析认为过渡金属掺杂ZnO的可见光发射主要与这些发光过渡金属引入后所产生的缺陷有关,而紫外发光峰的变化则与过渡金属掺入后ZnO晶体质量与禁带宽度的改变相关。; 徐明胡志刚吴艳南周海平徐禄祥周勋; 关键词：ZNO 稀磁半导体过渡金属掺杂发光

Co掺杂ZnO薄膜的结构及光磁性能研究被引量：8: 2012年; 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.01,0.03,0.05,0.08,0.12)薄膜.利用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了ZnO:Co薄膜的表面形貌和微结构.结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,尤其是当掺杂浓度为12%时,薄膜c轴择优取向最为显著.振动样品磁强计(VSM)测量表明Zn1-xCoxO薄膜具有室温铁磁性.室温光致发光测量发现,所有样品的PL谱中都出现了较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,分析认为这主要是由于Co元素的掺入改变了薄膜的禁带宽度、锌填隙缺陷和氧位错缺陷浓度,其中长波长的蓝光峰和绿光峰都能够通过掺杂进行控制.基于上面的测量结果,探讨了不同波段光发射的机理与掺杂状态之间的关系.; 吴艳南吴定才邓司浩董成军纪红萱徐明; 关键词：溶胶-凝胶 CO掺杂光致发光铁磁性

铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究: 2010年; 采用Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法,研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性.计算了T=4K和T=300K时,隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance,TMR)随偏压的变化关系,同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系.我们的计算结果较好地解释了有关的实验结论.; 张佩佩徐明陈尚荣吴艳南周勋刘杰; 关键词：多层膜有机半导体铁磁层隧穿磁电阻

Cu掺杂对sol-gel法制备的ZnO∶Co薄膜发光特性的影响被引量：1: 2011年; 采用溶胶-凝胶法制备了Cu、Co共掺的Zn0.95-xCo0.05CuxO(x=0,0.01,0.03,0.05)薄膜,并用金相显微镜和X射线衍射(XRD)研究了样品薄膜的形貌和结构,结果发现掺杂量影响着衍射峰的强度和位置。测量了样品的室温光致发光谱(PL谱),所有样品均观察到紫外发光带和蓝光发光带,同时伴随有较弱的绿光发光带。微量Cu掺杂能够显著提高ZnO∶Co薄膜的发光强度,对样品的发光机制进行了讨论。; 段文倩徐明吴艳南董成军杜懋陆; 关键词：溶胶-凝胶光致发光

Cu掺杂ZnO薄膜的结构及发光特性被引量：5: 2010年; 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了Cu掺杂对ZnO薄膜形貌和微结构的影响。结果表明,制备得到的ZnO薄膜具有应变小和c轴择优取向。室温下测量了样品Zn1-xCuxO的光致发光(PL)谱,发现所有样品的PL谱中均观察到435nm左右的蓝光发光带,发光带强度与Cu的掺杂量有关;当x=0.06时,Zn1-xCuxO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光发射。分析了掺杂量对发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁,它们可通过改变Cu的掺杂量予以控制。; 蒋敏吴定才魏琴刘方舒吴艳南张佩佩纪红萱徐明; 关键词：溶胶-凝胶 CU掺杂光致发光

Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究被引量：5: 2010年; 采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe,Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜。产物的显微照片及XRD图谱结果表明,该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13nm左右,振动样品磁强计(VSM)测试结果显示掺杂ZnO薄膜均存在室温铁磁性。光致发光(PL)测量表明所有样品薄膜的PL谱主要由较强的紫外发光峰(394nm)、蓝光峰(420nm)、绿光峰(480nm)组成。Fe、Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置,但掺杂后该紫外发光峰减弱,420nm处的蓝光峰增强。; 胡志刚周勋徐明刘方舒段满益吴定才董成军陈尚荣吴艳南纪红萱令狐荣锋; 关键词：ZNO薄膜 FE 光致发光溶胶-凝胶法室温铁磁性

Co、Sn共掺ZnO薄膜结构及其性能研究: ZnO是一种直接宽带隙半导体材料,具有六角纤锌矿型晶体结构,在室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能约60meV。ZnO具有很好的导热、导电、化学稳定性及良好的紫外吸收性能,广泛应用于表面声波器、UV探测器、传感器、...; 吴艳南; 关键词：ZNO 溶胶-凝胶光致发光; 文献传递

Co与Cu掺杂ZnO薄膜的制备与光致发光研究被引量：14: 2009年; 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及Co,Cu共掺杂ZnO薄膜.用金相显微镜观察了Co与Cu掺杂对ZnO薄膜形貌的影响.X射线衍射(XRD)研究揭示所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,在Cu单掺的ZnO薄膜中晶粒尺寸最大.对所有样品的室温光致发光测量都观察到较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,其中长波长的蓝光峰和绿光峰都能够通过掺杂进行控制.对不同掺杂源的ZnO薄膜发光性能进行了分析,认为蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位能级的跃迁及锌填隙到价带顶的跃迁,绿光峰是由于掺杂造成的氧错位缺陷能级所致.; 吴定才胡志刚段满益徐禄祥刘方舒董成军吴艳南纪红萱徐明; 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶 CO CU掺杂光致发光

Co与Cu掺杂ZnO磁性薄膜的溶胶-凝胶旋涂法制备被引量：1: 2010年; 用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及(Co,Cu)共掺杂ZnO薄膜。磁性测量表明,无论是单掺还是共掺的ZnO薄膜都具有室温铁磁性,且Co掺杂和共掺杂ZnO薄膜的磁性相近,而Cu单掺ZnO薄膜磁性稍弱一点。用原子力显微镜和X射线衍射研究了Co,Cu掺杂对ZnO薄膜表面形貌和晶体结构的影响,在薄膜中没有发现第二相和磁性团簇的存在,且所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。室温光致发光测量在所有的样品中都观察到447和482nm附近的蓝光发射,认为是由于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁所导致的。; 吴定才胡志刚段满益徐禄祥刘方舒董成军吴艳南纪红萱徐明; 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶室温铁磁性

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