崔增文
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块及制作方法
- 本发明一种垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块，其中包括：一高频印制电路板，在该高频印制电路板的一端形成有一信号输入端口，该信号输入端口采用镀金的插板结构；一垂直腔面发射激光器列阵，该垂直腔面发射激光器列阵以裸片的形式...
- 陈弘达申荣铉毛陆虹唐君裴为华高鹏崔增文
- 文献传递
- CMOS结构的硅基发光器件
- 本发明一种CMOS结构的硅基发光器件，其特征在于，包括：一p型衬底；一n<Sup>+</Sup>区，该n<Sup>+</Sup>区为圆形，制作在p型衬底上；一环形n<Sup>+</Sup>区，该环形n<Sup>+</Su...
- 陈弘达孙增辉毛陆虹唐君高鹏崔增文
- 文献传递
- 标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望被引量：2
- 2003年
- 从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。
- 崔增文何山虎陈弘达毛陆虹高建玉
- 关键词：数模混合电路CMOS工艺多项目晶圆
- 12信道垂直腔面发射激光器列阵驱动电路芯片的研制及其在甚短距离光通讯系统中的应用
- 激光驱动器集成电路是光发射机中的重要模块,它作为电光转换的接口,主要功能是把高速的数字信号进行电压和电流的放大,以驱动光源发光,进而实现数字信号的光传输.随着亚微米CMOS工艺的发展,CMOS工艺已经开始在高速的模拟和射...
- 崔增文
- 关键词：甚短距离传输超高速集成电路多项目晶圆
- 文献传递
- 与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展被引量：5
- 2003年
- 本文概述了近年来该器件的研究与进展,从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。
- 陈弘达孙增辉毛陆虹崔增文高鹏陈永权申荣铉
- 关键词：LEPP-N结CMOS
- 适用于光发射机设计的实用VCSEL小信号等效电路模型被引量：2
- 2004年
- 提出了一个适用于发射机中驱动电路设计的具有较高计算效率、能准确反映不同频率时与驱动电路互作用的VCSEL等效电路模型,用曲线拟合的方法结合惠普网络分析仪测得的VCSEL反射参数S_(11),准确地得到了等效电路模型的各个参数值,并将此等效电路模型应用到设计驱动电路的模拟中,在标准EDA环境SPICE中对驱动电路和模型进行了协同模拟,与过于简化的VCSEL模型进行了对比,通过设计驱动电路芯片证明了此模型的有效性。
- 崔增文韩建忠何山虎陈弘达孙增辉高鹏周毅
- 关键词：VCSEL等效电路模型
- CMOS结构的硅基发光器件
- 本发明一种CMOS结构的硅基发光器件，其特征在于，包括：一p型衬底；一n<Sup>+</Sup>区，该n<Sup>+</Sup>区为圆形，制作在p型衬底上；一环形n<Sup>+</Sup>区，该环形n<Sup>+</Su...
- 陈弘达孙增辉毛陆虹唐君高鹏崔增文
- 文献传递
- 与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟(英文)被引量：1
- 2003年
- 采用工业标准 0 6 μmCMOS工艺设计了以反向击穿硅 p n结为基础的光发射器件 .讨论了该器件的光发射机理 .利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟 ,包括器件的正向和反向I V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等 .结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件 ,在光互连等领域具有广阔的应用前景 .
- 孙增辉陈弘达毛陆虹崔增文高鹏
- 关键词：LED击穿电压CMOS
