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张博
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2
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H指数:1
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复旦大学
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王建宝
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董树忠
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黄京根
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1篇
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掺杂非醚聚苯基喹噁啉薄膜电致发光的研究
被引量:3
1996年
掺杂非醚聚苯基喹噁啉薄膜电致发光的研究邓振波,黄京根,董树忠,王建宝,张博,陆访,孙恒慧(复旦大学物理系,复旦大学材料系,上海200433)聚合物薄膜电致发光(PTFEL)器件的主要特点是制造方便、设备简单、成本低廉并且可以通过改变材料体系、掺杂或调...
邓振波
黄京根
董树忠
王建宝
张博
陆访
孙恒慧
关键词:
电致发光器件
亚稳态Ge_xSi_(1-x)/Si单量子阱的缺陷性质
1997年
对于处在亚稳态生长区域内阱宽为15um锗组分x=0.25、0.33、0.40的单量子阱样品,及阱宽相同x=0.45、0.53的单量子阱样品,首先通过喇曼光谱测量了样品的应变弛豫程度,发现当锗组分增加到X≥0.45时,其应变开始逐渐弛豫,然后通过测量深能组瞬态谱(DLTS),研究应变弛豫程度不同的样品中形成的缺陷性质。在X=0.25、0.33、0.40样品中均可以观察到量子阱中载流子发射产生的DLTS峰,由它求得的能带们移值与理论预计值符合。对于X=0.45、0.53样品阱中载流子发射信号已被缺陷信号淹没,表明此时样品的缺陷浓度很大。相应的缺陷情况是:对于应变未弛豫的样品(X=0.25),DLTS测得的缺陷为一点缺陷;对于应变基本未弛豫的样品(X=0.33、0.40)DLTS测得的缺陷主要为一组界面缺陷;而应变部分弛豫的样品(X=0.45、0.53),DLTS测得的缺陷与前三种样品不同,样品的缺陷可能与形成的穿透位错有关。通过电化学腐蚀,可以确定这些缺陷均位于异质界面附近。
张博
王建宝
刘晓晗
龚大卫
陆方
孙恒慧
关键词:
亚稳态
锗
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