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施超

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇逾渗
  • 1篇无损检测
  • 1篇静电
  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇万长兴
  • 1篇马仲发
  • 1篇庄奕琪
  • 1篇施超
  • 1篇薛丽君
  • 1篇杜磊

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础被引量：8
2002年
分析了MOSFET静电损伤的机理 ,发现在静电应力期间 ,随着应力次数的增加 ,在SiO2 体内和Si/SiO2 界面同时产生潜在损伤积累 .Si/SiO2 界面较SiO2 层体内更容易产生缺陷 ,而且缺陷浓度更大 .用逾渗理论模拟了MOSFET中 1/f噪声与边界陷阱浓度的关系 ,得出了与实验相一致的定性结果 ,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流 1/f噪声检测方法提供了理论依据 .
马仲发庄奕琪杜磊薛丽君万长兴施超
关键词：MOSFET静电无损检测逾渗
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共1页<1>
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