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施雪捷

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：香港科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇吸除
  • 2篇吸除技术
  • 2篇金属
  • 2篇金属诱导
  • 2篇金属诱导结晶
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇非晶硅

机构

  • 2篇香港科技大学

作者

  • 2篇孟志国
  • 2篇郭海成
  • 2篇张冬利
  • 2篇王文
  • 2篇施雪捷

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术
本发明讲述的是通过非晶硅的金属诱导结晶制备高质量，大面积多晶硅薄膜的技术。此技术需要对起始的非晶硅薄膜引入可控量的诱导结晶金属元素；第一个低温热处理引起金属诱导结晶成核现象并形成很小的多晶硅“岛”；在此部分晶化薄膜材料上...
王文郭海成孟志国张冬利施雪捷
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非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术
本发明讲述的是通过非晶硅金属诱导结晶制备高质量，大面积多晶硅薄膜的技术。此技术需要对起始的非晶硅薄膜引入可控量的诱导结晶金属元素；第一个低温热处理引起金属诱导结晶成核现象并形成很小的多晶硅“岛”；在此部分晶化薄膜材料上形...
王文郭海成孟志国张冬利施雪捷
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