李秀娟
- 作品数：13 被引量：99H指数：7
- 供职机构：华东政法学院知识产权学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程轻工技术与工程更多>>
- 硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析被引量：24
- 2005年
- 分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性。从硅片表面材料去除非均匀性方面,对几种抛光机的运动形式进行了比较,结果表明,抛光头摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小。该研究为化学机械抛光机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据。
- 苏建修郭东明康仁科金洙吉李秀娟
- 关键词：化学机械抛光
- 抛光液中缓蚀剂对铜硅片的影响被引量：4
- 2005年
- 以硝酸铁为氧化剂选用不同缓蚀剂对铜化学机械抛光用抛光液的缓蚀效果进行了研究.通过测试不同缓蚀剂作用下铜的电化学极化曲线,来获得的腐蚀电流值和计算不同缓蚀剂的缓蚀效率.采用表面粗糙度为1·42nm的铜硅片进行静腐蚀和抛光实验,利用ZYGO粗糙度仪测试了硅片表面的粗糙度变化,并采用原子力显微镜分析腐蚀表面形貌.研究结果表明,在以硝酸铁为氧化剂的酸性环境中,苯丙氮三唑(BTA)作为铜抛光液的缓蚀剂具有良好的缓蚀效果.根据电化学参数计算出1·5wt%硝酸铁溶液中添加0·1wt%BTA的缓蚀率达99·1%;无论在静腐蚀还是在抛光过程中,在抛光液中添加BTA均可避免硅片严重腐蚀,使表面光滑.
- 李秀娟金洙吉康仁科郭东明苏建修
- 关键词：化学机械抛光ULSI抛光液缓蚀剂
- 磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究被引量：9
- 2005年
- 利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CM P)试验,评价了CM P过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的硅片表面粗糙度;采用扫描电子显微镜分析CM P后的铜硅片表面损伤形貌.结果表明,磨料的浓度和粒径直接影响CM P过程的摩擦系数:采用5%粒径25 nm硅溶胶为抛光液时的摩擦系数低于超纯水抛光时的摩擦系数;当磨料的添加量和粒度增加时摩擦系数增大.在相同试验条件下,采用10%粒径25 nm硅溶胶抛光材料的去除率为50.7 nm/m in;粒径为1μm白刚玉磨料的抛光材料去除率为246.3 nm/m in;单纯磨料使铜硅片表面变得粗糙,即用10%粒径25 nm硅溶胶抛光后的表面粗糙度仍大于原始表面(Ra值达3.43 nm);在单纯磨料或超纯水为抛光液抛光下铜硅片表面出现划伤.
- 李秀娟金洙吉康仁科郭东明
- 关键词：磨料材料去除机理
- 硅片化学机械抛光时硅片运动形式对片内非均匀性的影响分析
- 本文分析了目前几种常见的化学机械抛光(CMP)机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除...
- 苏建修郭东明康仁科金洙吉李秀娟
- 关键词：化学机械抛光
- 铜化学机械抛光中电化学理论的应用研究被引量：9
- 2005年
- 概述了电位 pH图、极化曲线、交流阻抗谱和开路电压测试等电化学方法在铜化学机械抛光 (Cu- CMP) 中的应用, 并分析了采用电化学方法进行CMP分析存在的问题, 指出采用以上电化学方法进行Cu -CMP分析有利于对Cu- CMP的过程的理解, 并可以为抛光液组分的选配提供依据。
- 李秀娟金洙吉苏建修康仁科郭东明
- 关键词：化学机械抛光电化学抛光液铜
- 铜布线化学机械抛光技术分析被引量：10
- 2005年
- 对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2 为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点。
- 李秀娟金洙吉苏建修康仁科郭东明
- 关键词：铜布线甚大规模集成电路材料去除机理腐蚀抑制剂碱性抛光液
- 理想材料零件成形机控制系统研究
- 2005年
- 论述了使用数字喷射成形加工技术实现理想材料零件[1]的数字化并行设计与制造的原理。开发了以PMAC(Programmable Multi-Axis Controller)运动控制器为控制系统核心,工业控制机为系统支撑单元的并行双CPU控制系统,辅以相应的辅助元件,实现空间场、材料场、温度场及喷射系统的协调统一,以实现理想材料零件的制造。设计了前馈串级复合控制算法,设置了合理的控制参数,实现了系统的快速、稳定、准确控制。补偿的应用提高了系统的精度。
- 江连会贾振元王东兴郭丽莎张士军李秀娟
- 关键词：PMAC理想材料零件
- 铜抛光液的电化学行为研究被引量：4
- 2008年
- 为分析用于超大规模集成电路(ULSI)中铜化学机械抛光(CMP)所使用抛光液的添加剂对铜硅片的氧化、溶解和腐蚀抑制行为,以双氧水为氧化剂,柠檬酸为络合剂,苯丙三唑(BTA)为腐蚀抑制剂,在pH5的条件下进行抛光液的电化学行为研究.测试了铜在抛光液中的极化曲线、交流阻抗谱以及静腐蚀量.试验结果表明:添加络合剂柠檬酸降低了原来处于钝化状态下的铜抛光液系统的阻抗;加入缓蚀剂BTA后,Cu-H2O2-Citric acid-BTA系统的交流阻抗值增大.测试到的Cu-H2O2-Citric acid系统由于存在铜的不可逆氧化过程,导致了Warburg阻抗的存在;添加BTA后,在铜的表面生成了CuBTA的缓蚀膜,抑制了铜的腐蚀并改变了铜在Cu-H2O2-Citric acid系统中的电化学反应过程.
- 李秀娟郭东明康仁科金洙吉
- 关键词：化学机械抛光电化学交流阻抗谱电极过程
- ULSI制造中铜化学机械抛光的腐蚀磨损机理分析被引量：2
- 2005年
- 以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CuCMP)为研究对象,针对CuCMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了CuCMP材料去除机理。提出铜CMP的材料去除中存在着机械增强的化学腐蚀和化学增强的机械磨损,并分析了CuCMP的静态腐蚀材料去除、机械增强的腐蚀去除与化学增强的机械去除机理。
- 李秀娟金洙吉康仁科郭东明苏建修
- 关键词：ULSI材料去除机理
- 集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究被引量：14
- 2005年
- 经过对传统化学机械抛光技术的研究与分析,指出了目前ULSI制造中使用的传统化学机械抛光技术的缺点,通过对固结磨料化学机械抛光中的抛光垫结构、抛光机原理及抛光液的分析,得出了固结磨料化学机械抛光技术的优点,同时还对硅片固结磨料化学机械抛光的缺陷进行了研究。
- 苏建修康仁科郭东明金洙吉李秀娟
- 关键词：抛光技术集成电路制造化学机械抛光ULSI抛光垫抛光液
