杨水长
- 作品数：9 被引量：4H指数：2
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析被引量：4
- 2009年
- 采用电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的结构,测量了薄膜的X射线光电子能谱(XPS),并利用原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表面分析。XRD结果表明:薄膜的结晶性随着衬底温度的升高逐渐转好,在较低的衬底温度下制备出多晶碳化硼薄膜。XPS分析得到了碳化硼薄膜表面的化学成分和结构特性,其主要成分为B4C。AFM结果表明,薄膜表面光滑平整、均匀致密,随着衬底温度的升高薄膜均方根(RMS)粗糙度逐渐增大。
- 杨水长廖志君刘振良范强伍登学卢铁城
- 关键词：电子束蒸发XRDXPS
- 硼碳氮薄膜的制备与表征
- 2009年
- 用电子束蒸发的方法在单晶硅(100)基片上制备了硼碳氮薄膜,通过椭圆偏振仪、X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、傅立叶红外光谱仪(FTIR),测试分析了薄膜厚度均匀性、成分与结构。结果表明,薄膜均匀性较好,薄膜的沉积速率非常慢;薄膜在衬底温度为常温下沉积已是晶态的,随着衬底温度升高到450℃,其结晶性逐渐增强;薄膜不是石墨与BN的混和膜而是C、B、N相互结合成键。
- 刘振良廖志君范强杨水长伍登学卢铁城
- 关键词：硼碳氮薄膜XPSXRDFTIR
- 碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析
- 本文讨论了运用电子束蒸发制备碳化硼薄膜,碳化硼薄膜的制备方法有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）方法。并通过X-射线衍射（XRD）研究了碳化硼薄膜的结构,衬底温度在400℃以上能制备出晶
- 杨水长廖志君刘振良范强伍登学
- 文献传递
- 电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法
- 一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于6.0×1...
- 廖志君刘振良杨水长卢铁城伍登学范强刘成士赵利利
- 文献传递
- 硼碳氮薄膜的制备与表怔
- 本文将探讨用电子束蒸发的方法在单晶硅(100)基片上制备了硼碳氮薄膜,通过椭圆偏振仪,X衍射光谱,傅立叶红外光谱.测试分析了厚度均匀性与成分结构.分析表明,薄膜光滑致密,均匀性较好,衬底温
- 刘振良廖志君范强杨水长伍登学
- 文献传递
- 硼碳氮薄膜的制备与表征
- 用电子束蒸发的方法在单晶硅(100)基片上制备了硼碳氮薄膜，通过椭圆偏振仪、X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、傅立叶红外光谱仪(FTIR)，测试分析了薄膜厚度均匀性、成分与结构。结果表明，薄膜均匀性较好，...
- 刘振良廖志君范强杨水长伍登学卢铁城
- 关键词：硼碳氮薄膜性能表征微观结构
- 基片温度对电子束蒸发沉积碳化硼薄膜性能的影响
- 在不同基片温度下,采用电子束蒸发法在硅（100）衬底上成功制备了碳化硼薄膜。用XRD分析了薄膜的结构,对薄膜进行了XPS分析,定性分析了薄膜组分及其结合键态;用AFM重点分析了薄膜的表面形貌
- 范强廖志君杨水长刘振良伍登学
- 文献传递
- 基片温度对电子束蒸发沉积碳化硼薄膜性能的影响被引量：2
- 2009年
- 在不同基片温度下,采用电子束蒸发法在Si(100)衬底上制备了碳化硼薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜成分,薄膜的表面形貌用原子力显微镜(AFM)进行表征,采用台阶仪和椭偏测厚仪测量了薄膜厚度和折射率。结果表明基片温度对薄膜成分影响不大;随着基片温度的升高,薄膜表面粗糙度逐渐增大,均方根粗糙度由0.394 nm增至0.504 nm;而沉积速率先增大后减小,在300℃时达到最大值7.47 nm/min;其折射率由2.06渐增至2.41,表明薄膜致密性逐渐提高。
- 范强廖志君杨水长刘振良伍登学卢铁城
- 关键词：电子束蒸发基片温度粗糙度
- 电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法
- 一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于6.0×1...
- 廖志君刘振良杨水长卢铁城伍登学范强刘成士赵利利
- 文献传递
