渠红伟
- 作品数：137 被引量：81H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构
- 一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构，包括：一砷化镓衬底；一光子晶体区域，该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上，用来实现基模的大面积振荡；一过渡层，该过渡层制作在光子晶体区域上；一上限制层，该上限制层制作在过渡层上，...
- 郑婉华陈微张建心渠红伟付非亚
- 文献传递
- 硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置
- 一种硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置，包括：一下施力盖板，该下施力盖板为圆片状；一下承接托，该下承接托为圆片状，其上面均匀分布有多个圆孔，其位于下施力盖板之上；一上施力托，该上施力托为圆片状，其上面均...
- 张冶金郑婉华渠红伟
- 文献传递
- 基于光子晶体结构芯片的激光模块
- 本发明公开了一种基于光子晶体结构芯片的激光模块，该激光模块包括：散热底座，第一激光器阵列，第二激光器阵列，至少两组正负极引出陶瓷；其中，散热底座用于对第一激光器阵列和第二激光器阵列散热；第一激光器阵列和第二激光器阵列分别...
- 郑婉华刘靖周旭彦齐爱谊渠红伟邢晓旭
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- 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法
- 一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层，形成横向波导结构；步骤3：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀，在上...
- 郑婉华陈微周文君刘安金付非亚张建心渠红伟
- 文献传递
- 一种高铝组分的氧化限制半导体激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种高铝组分的氧化限制半导体激光器及其制备方法，该高铝组分的氧化限制半导体激光器包括：N面金属电极、N型GaAs衬底、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型限制层、P型高铝组分层、P型接触层和P面金...
- 郑婉华王亮周旭彦渠红伟孟凡胜齐爱谊徐传旺韩韧博王宇飞
- 应用于光子集成的硅基混合集成人工微结构硅波导输出激光器研究
- 2014年
- 目前,硅光子集成在光通信和信号处理、微电子系统的片内和片间互连领域成为研究热点。虽然其基础元件如波导、输入/输出(I/O)耦合器、波分复用器、调制器和光探测器性能达到了一定水平,但是硅光子集成回路仍面临挑战,原因是硅基激光光源的制作仍然是一个技术难题。综述了近年来硅基混合集成激光器的进展,介绍了课题组的研究成果。将微结构引入到硅基混合集成硅波导输出激光器中,提出了新型的III-V/硅混合集成的微结构硅波导输出单模激光器。此新型激光器工作在通信波段。其中,InGaAlAs增益结构是通过晶片直接键合的方式与具有微结构的SOI(Si/SiO2/Si)集成。激光器模式选择机制是基于SOI中的周期微结构,仅通过标准光刻即可实现。微结构激光器室温连续输出为0.85mW,脉冲输出为3.5mW,边模抑制比为25dB。
- 王海玲张冶金冯朋渠红伟郑婉华
- 关键词：激光器微结构单模激光器边模抑制比
- 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法
- 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(...
- 渠红伟郑婉华刘安金王科张冶金彭红玲陈良惠
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- 单片激光器、光子晶体激光阵列的无焊接制备方法及装置
- 本发明提供了一种单片激光器的无焊接制备方法，包括：在微通道热沉的一端放置第一焊片，微通道热沉的另一端粘结绝缘膜；在第一焊片上依次放置芯片、第二焊片和N面电极片；通过固定件将微通道热沉、绝缘膜和N面电极片进行固定。本发明还...
- 刘靖郑婉华周旭彦王宇飞齐爱谊渠红伟
- 圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律研究
- AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步.利用此项技术形成的氧化孔可实现器件的横向光、电限制,大大提高了器件的性能.氧化孔的大小会直接影响到器件的各个特性参数,必须实现精确控制...
- 董立闽郭霞渠红伟邓军杜金玉邹德恕沈光地
- 关键词：VCSELALGAAS湿法氧化动力学模型
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- InP晶片表面优化处理及键合性质分析
- 2010年
- 采用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同处理流程后的InP(100)表面粗糙度及化学成分进行测试分析,优选出C、O元素浓度较低,且表面均方根粗糙度影响较小的表面清洗方法。通过比较键合结构的薄膜转移照片可知,表面清洗后的干燥与除气步骤可较好地去除键合界面中的空洞和气泡,从而提高键合质量。键合结构的电子显微镜(SEM)照片,X射线双晶衍射曲线(XRD)及Ⅰ-Ⅴ测试分析表明键合结构具有良好的机械、晶体及电学性质。
- 何国荣渠红伟郑婉华陈良惠
- 关键词：键合X射线光电子能谱X射线双晶衍射
