王建林
- 作品数：7 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
- 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实...
- 黄应龙杨富华王良臣王建林伊小燕马龙白云霞姜磊
- 文献传递
- RTD高频等效电路的研究及应用现状被引量：2
- 2003年
- 详述了RTD器件各高频等效电路模型及其各模型的应用与适用条件。并在 40GHz以下的频率范围内 。
- 王建林刘忠立
- 关键词：RTD等效电路高频
- 一种新材料结构的RTD器件的设计及实现(英文)被引量：1
- 2005年
- 设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RTD)材料结构 ,并且成功地制作了相应的RTD器件 .在室温下 ,测试了RTD器件的直流特性 ,计算了RTD器件的峰谷电流比和可资电流密度 .在分析器件特性的基础上 。
- 王建林王良臣曾一平刘忠立杨富华白云霞
- 关键词：共振隧穿二极管量子效应直流特性
- 高击穿电压的高电子迁移率晶体管
- 一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，...
- 徐晓华倪海桥牛智川贺正宏王建林
- 文献传递
- 高击穿电压的高电子迁移率晶体管
- 一种高击穿电压的高电子迁移率晶体管，包括：一缓冲层，用来抑制衬底杂质的扩散和吸收衬底缺陷；一空穴收集层，制作在缓冲层上，用于收集离化的空穴；一二维电子气量子阱，制作在空穴收集层上，用于提供高浓度高迁移率的电子；一隔离层，...
- 徐晓华倪海桥牛智川贺正宏王建林
- 文献传递
- RTD与PHEMT的集成研究
- 该论文在理论和实验上对GaAs基RTD与PHEMT的集成进行了研究.在国内首先开展了RTD与PHEMT台面集成技术的研究,并在RTD与PHEMT单片集成外延材料结构上研究出了RTD和PHEMT,其中RTD的峰电流与谷电流...
- 王建林
- 关键词：RTDPHEMT集成技术SPICE
- RTD与PHEMT集成的几个关键工艺被引量：2
- 2005年
- 在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测试表明 :在室温下 ,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1 78;PHEMT器件的最大跨导约为 12 0mS/mm ,在Vgs=0 5V时的饱和电流约为 2 70mA/mm .这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础 .
- 王建林刘忠立王良臣曾一平杨富华白云霞
- 关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管集成电路
