王德明
- 作品数：12 被引量：20H指数：3
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- PTCDA/P-Si光电探测器的研制
- 利用1.8萘二甲酸酐作为原料制备井提纯了有机半导体材料PTCDA。通过质谱、核磁共振谱、X射线谱及可见光吸收谱，对这种材料的结构表征和光吸收特性进行了深入研究。在此基础上研究试制出了有机／无机同型异质结PTCDA/P-S...
- 张福甲王德明张杰祁菁
- 关键词：光电探测器光吸收质谱红外光谱核磁共振谱
- 文献传递
- GaP(Zn,O)红色LED发光效率退化机理研究
- 1992年
- 本文用深能级瞬态谱(PLTS)方法,研究了GaP(Zn, O)红色LED在电致发光效率退化期间最近邻(Zn_(Ga), O_p)离子对的分离和深能级变化情况,分析讨论了发光效率退化的原因。
- 张福甲王德明
- 关键词：磷化镓发光二极管发光效率
- Si基有机异质结势垒特性的研究被引量：11
- 2000年
- 在电阻率为 0 .2Ω·cm的 p -Si衬底上沉积了厚度为 2 0nm的有机半导体材料 艹北 四甲酸二酐 (PTCDA)薄膜 ,由此形成有机 /无机异质结。从它们的能带结构出发 ,通过实验测试分析了这种有机 /无机半导体异质结 (OIHJ)的电容 -电压及电流 -电压特性。
- 张福甲王德明张德江甘润今刘凤敏
- 关键词：硅基复合材料有机半导体材料
- 绿色GaP—LED中NH_3掺杂的动力学
- 1991年
- 本文研究了NH_3作为气相掺杂剂,在GaP-LED层中氮结合的动力学过程;分析讨论了影响外延层中氮浓度的诸因素.
- 张福甲王德明
- 关键词：NH3掺杂电致发光器件
- Gap－LPE掺S浓度的控制及对发光效率的影响
- 1995年
- 报道了具有双ｎ型结构的ＧａＰ绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中，对硫（Ｓ）掺杂浓度的控制和监测方法，并研究了掺Ｓ浓度对发光效率的影响。
- 甘润今王德明张福甲
- 关键词：光电器件半导体工艺发光效率
- PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析被引量：11
- 2000年
- 根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。
- 张福甲王德明
- 关键词：PTCDA异质结有机半导体硅
- Ga1-xAlxAs/GaAs量子阱中激子在纵向外电场中的性质
- 1前言超晶格量子阱材料中载流子运动的二维性质和能量的量子化,使自由激子束缚能和振荡能都增大,并且使激子具有较大的复合几率。Mendez等人研究了电场对GaAlAs/GaAs量子阱中的光荧光特性。他们发现,在一个窄量子阱上...
- 张福甲王德明虎志明
- 文献传递
- 短周期超晶格AlP/GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁
- 1997年
- 介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率。
- 张福甲王德明孟雄晖刘凤敏甘润今
- 关键词：光跃迁半导体超晶格
- 衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响被引量：3
- 2012年
- 为了深入研究p型Si衬底的有机光电探测器的工艺条件对器件光电性能的影响,本文利用Dektak-8型α台阶仪及高分辨率Topometrix Exptorer型原子力显微镜(AFM),对不同衬底温度及蒸发条件下沉积的有机薄膜表面厚度进行了测量;采用拓扑和侧向力接触两种模式,对其表面形貌及其变化规律进行了研究;对制成的光电探测器的光电性能进行了测试分析。结果表明,PTCDA在p-Si(100)表面形成的多晶薄膜呈岛状形态,岛的大小及形貌受制备工艺条件的影响;当衬底温度为50℃、PTCDA的蒸发温度为420℃和蒸发时间为15s时,蒸发薄膜的厚度为135nm;测得器件的最大光电流为92μA,暗电流为7nA。实现了衬底温度及蒸发条件的最佳化。
- 张旭何锡源王德明
- 关键词：SI衬底温度蒸发条件
- 敏兰紫光电探测器的研制
- 1990年
- 用能量是100kev，剂量为10^13cm的Zn离子，注入到n-GaP单晶补氏所制做的光电探测器，它对波长为380nm-440nm的光具有敏感性。利用俄歇能谱（AES）和x光电子能谱（ESCA），对注入剖面的杂质分布进行了研究。结果表明，注入的Zn离子，它的2p3/2电子的结合能是1021.lev，比它的标准值低0．4ev,由测试结果给出了这种光电探测器的最大量子效率是34％。
- 张福甲王德明张彦博
- 关键词：半导体探测器量子效率
