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王树龙

作品数：101 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 93篇专利
  • 4篇学位论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 37篇电子电信
  • 24篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 2篇理学

主题

  • 16篇神经网
  • 16篇神经网络
  • 15篇单粒子
  • 15篇电路
  • 14篇微电子
  • 13篇电子器件
  • 13篇微电子器件
  • 12篇总剂量
  • 12篇抗辐照
  • 10篇网络
  • 10篇仿真
  • 10篇测试集
  • 10篇场效应
  • 9篇集成电路
  • 8篇单粒子效应
  • 8篇电学
  • 8篇电学特性
  • 7篇氧化层
  • 7篇栅氧化
  • 7篇栅氧化层

机构

  • 101篇西安电子科技...
  • 2篇华北水利水电...

作者

  • 101篇王树龙
  • 57篇刘红侠
  • 35篇陈树鹏
  • 15篇马兰
  • 10篇郝跃
  • 8篇马浩
  • 8篇杜守刚
  • 7篇张进成
  • 7篇赵蓉
  • 6篇韩涛
  • 6篇杜林
  • 4篇张涛
  • 4篇吴介豫
  • 4篇王刚
  • 3篇刘艳
  • 3篇张浩
  • 3篇韩根全
  • 2篇张丹
  • 2篇张金风
  • 2篇张海峰

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 16篇2024
  • 23篇2023
  • 23篇2022
  • 13篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2009
共 101 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法
本发明涉及一种抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法，其技术方案是：根据电路的系统功能编制地面全功能试验程序，按照占空因子相等，辐射效应类型相同和物理版图可划分的原则，将电路划分成多个模块，并求出各模块的在地面加速试...
刘红侠杜守刚王树龙王倩琼
基于深度学习的纳米天线阵列电磁性能预测方法
本发明属于光电器件与人工智能技术领域，具体公开了一种基于深度学习的纳米天线阵列电磁性能预测方法，本发明利用传统的机器学习来自行建立超表面性能预测模型，对纳米天线阵列超表面的电磁性能即散射截面积进行精准预测，建立了纳米天线...
王树龙马兰段小玲王国生刘晨钰赵蓉吴介豫
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异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有隧穿场效应晶体管开态电流小和双极效应严重的问题。其包括源极、栅极、漏极、源区、沟道区和漏区，载流子通过源极进入沟道区并通过漏极离开沟道区，沟道区...
段小玲王树龙王刚张进成张涛刘志宏赵胜雷许晟瑞郝跃
文献传递
基于22nm工艺条件的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法
本发明公开了一种基于22nm工艺条件的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法，其自下而上包括：衬底层(1)、P阱(2)、埋氧层(3)、Si层(4)、SiO<Sub>2</Sub>栅氧化层(13)、HfO<Sub>2</Su...
刘红侠刘孜煦陈树鹏王树龙
文献传递
一种基于残差神经网络的CMOS反相器单粒子效应预测方法
一种基于残差神经网络的CMOS反相器单粒子效应预测方法，设计CMOS反相器的K组单粒子效应参数数据，使用TCAD软件对每组数据进行仿真，得到CMOS反相器的K条单粒子效应曲线，所述单粒子效应曲线的横坐标为时间，纵坐标为电...
王树龙刘海宇陈栋梁刘伯航曹宪法马浩刘诗杰
基于神经网络的FinFET器件性能预测及结构优化方法
本发明涉及微电子器件技术与人工智能技术领域领域，具体涉及基于神经网络的F i nFET器件性能预测及结构优化方法。本发明使用神经网络对F i nFET器件结构和电学性能之间的关系进行学习，从而可以根据F i nFET器件...
王树龙刘海宇赵银锋刘晨钰赵蓉马兰马浩
文献传递
基于OpenCL标准的卷积神经网络加速方法
本发明提出了一种基于OpenCL标准的卷积神经网络加速方法，主要解决现有CPU处理卷积神经网络效率低的问题。其实现步骤为：1.读入原始的三维图像数据，将其传递到GPU的全局内存中；2.读取权重和偏置数据到GPU的全局内存...
王树龙殷伟刘而云刘红侠杜守刚
文献传递
一种NBTI效应退化阶段的仿真方法
本发明涉及一种NBTI效应退化阶段的仿真方法，包括：利用仿真软件对器件进行建模；对所建立的模型进行校准，使二维器件结构模型的转移特性曲线与器件的转移特性曲线相吻合；校准后，在仿真软件中添加物理模型，并在物理模型中设置陷阱...
刘红侠魏豪陈树鹏王树龙
基于SOI工艺的堆叠层栅极MOS场效应管及制备方法
本发明涉及一种基于SOI工艺的堆叠层栅极MOS场效应管及制备方法，主要解决常规器件可靠性差的问题。其自下而上包括：N型衬底层(1)、隐埋氧化层(2)、体区(3)、栅氧化层(8)、氮化硅阻抗层(9)和多晶硅层(10)；体区...
刘红侠杨亚芳陈树鹏王树龙
文献传递
基于神经网络的1200V SiCMOSFET建模优化及性能预测方法
本发明公开了基于神经网络的1200V SiCMOSFET建模优化及性能预测方法，包括以下步骤；步骤1，基于TCAD建立1200V沟槽型SiCMOSFET器件模型；步骤2，基于TCAD仿真建立数据集，获取数据集，将数据集分...
王树龙周浩黄金孙志逸黎浏滔严杏圆陈思宇
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