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朱晓鹏

作品数：11 被引量：14H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 4篇锥形增益
  • 4篇量子阱激光器
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 3篇光束
  • 3篇发散角
  • 2篇应变量子阱
  • 2篇应变量子阱激...
  • 2篇光束质量
  • 2篇光纤
  • 2篇放大器
  • 2篇波导
  • 1篇单模
  • 1篇导体
  • 1篇电流
  • 1篇镀膜
  • 1篇远场

机构

  • 11篇中国科学院
  • 1篇复旦大学
  • 1篇南京大学

作者

  • 11篇朱晓鹏
  • 6篇马骁宇
  • 6篇陈良惠
  • 6篇韦欣
  • 5篇王国宏
  • 4篇张洪波
  • 4篇张敬明
  • 3篇孙永伟
  • 3篇叶晓军
  • 2篇宋国锋
  • 2篇徐云
  • 2篇甘巧强
  • 2篇侯识华
  • 1篇任刚
  • 1篇曹青
  • 1篇邓捷
  • 1篇种明
  • 1篇潘学俭
  • 1篇徐遵图
  • 1篇康香宁

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇激光技术
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇第十届全国光...

年份

  • 4篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高饱和电流14xxnm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱激光器的研制
报道了我们采用锥菜增益区结构MOCVD生长AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱激光器的最新成果.功率达到440mW以上,饱和电流3A以上,峰值波长1430nm,远场发散角为40°×14&#...
张洪波韦欣朱晓鹏王国宏张敬明马骁宇
关键词：喇曼光纤放大器泵浦源量子阱激光器
高饱和电流14xxnm应变量子阱激光器的研制被引量：1
2005年
　报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片,采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀,制作P面电极(溅射 TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi),然后将试验片解理成Bar;为获得高的单面输出功率,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜,HR=90%,AR=5%;解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上,TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试。管芯功率达到440 mW以上,饱和电流3 A以上,峰值波长1430 nm,远场发散角为40°×14°。
张洪波韦欣朱晓鹏王国宏张敬明马骁宇
关键词：激光技术应变量子阱激光器光纤拉曼放大器
GaN基蓝光激光器光场特性模拟
2004年
采用有限差分法对 Ga N基多量子阱 (MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟 .In Ga N和 Al Ga N材料的折射率分别由修正的 Brunner以及 Bergm ann方法得到 .分析了激光器单模特性和远场发散角同器件的脊形刻蚀深度和脊形条宽的关系 .研究了在脊形上用 Si/ Si O2 膜取代传统 Si O2 介质膜这种新的脊形设计对激光器结构参数的影响 .模拟结果发现 ,脊形条宽越窄 ,脊形刻蚀深度越深 ,平行结平面方向的发散角越大 ,但由此会引起单模特性不稳定 ,两者之间有一个折衷值 .通过引入新的脊形设计 ,可以降低对器件刻蚀深度精度的要求 。
叶晓军朱晓鹏徐云孙永伟侯识华种明陈良惠
关键词：刻蚀深度发散角
小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器(英文)被引量：1
2002年
通过采用经过优化的新型大光腔结构 ,脊形波导 980 nm单模 In Ga As/Ga As/Al Ga As多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角 .结果表明波导中的光功率密度可以降低 ,获得了大于40 0 m W、斜率效率 0 .89W/A的输出光功率 ,垂直方向远场发散角也降低到 2
朱晓鹏徐遵图张敬明马骁宇陈良惠
关键词：发散角光腔单模INGAAS/GAAS/ALGAAS量子阱激光器
半导体激光器相对强度噪声的实验研究被引量：3
2005年
建立了一套半导体激光器噪声测量系统用于生产测量和科学研究,其特点是简易,且兼容性大。用该系统对相关的半导体激光器(不同腔长,镀膜与不镀膜等)进行了测量研究,着重研究了镀膜与不镀膜的条件对激光器噪声特性的影响,发现镀膜后管芯一致性提高、受反馈影响增大。为实际生产提供了改进建议,即需要针对实际应用来精心选择端面镀膜的反射率,前端面镀膜反射率不能太低。
朱晓鹏甘巧强任刚宋国锋叶晓军孙永伟曹青陈良惠
关键词：半导体激光器相对强度噪声腔长镀膜
半导体激光器光束特性的计算机模拟与实验研究被引量：4
2004年
为建立一套快速、准确的测量系统以适用于半导体激光器中、大规模生产的测试要求 ,利用有限元差分数值模拟方法对半导体激光器光束的近、远场分布 ,发散角等作理论模拟 ,利用测量系统对其光束的近远场分布、发散角等进行测量。最后提出相应方案处理测量结果以减小误差。与一般测量光束参数的系统相比 ,该测量系统具有兼顾简单快速与准确的优点。
甘巧强朱晓鹏潘学俭邓捷宋国锋陈良惠
关键词：半导体激光器光束质量远场分布发散角
光波导数值模拟与半导体激光光束性质研究
该文给出了一个能够求解具有增益/损耗分布的复折射率半矢量有限差分二维光波导数值模型,详细描述了该模型的推导和数值计算过程,通过该二维模型,讨论了几种常见条形激光器波导的形状参数对激光器模式增益的影响,详细讨论了AlGaI...
朱晓鹏
关键词：波导激光器半导体激光器FOURIER变换
带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制被引量：1
2005年
利用MOCVD生长了14xxnmAlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片 采用带有锥形增益区脊型波导结构和普通条形脊型波导结构在相同的实验条件下制作800μm腔长激光器管芯,在相同的驱动电流下前者可以获得更高的输出光功率,而且P Ⅰ曲线线性度较好、饱和电流高1200μm腔长带有锥形增益区脊型波导结构管芯功率达到500mW,饱和电流3A以上,峰值波长1460nm。
张洪波韦欣朱晓鹏王国宏张敬明马骁宇
关键词：量子阱激光器
采用二甲基肼为氮源进行 GaNAs的金属有机化学气相沉积生长(英文)
2002年
采用 MOCVD方法 ,利用二甲基肼为氮源 ,进行了 Ga NAs材料的生长 .利用高分辨 X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分 .采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质 .讨论了不同的镓源对 Ga NAs材料质量和其中的杂质含量的影响 ,结果证明三乙基镓在 Ga NAs的低温生长中比三甲基镓具有更大的优势 .采用三乙基镓生长的 Ga NAs中氮的含量达到 5 .6 88% .光致发光谱的峰值波长为 12 78.5
韦欣马骁宇王国宏张广泽朱晓鹏陈良惠
关键词：金属有机化学气相沉积沾污双晶衍射
条形半导体激光器光束质量因子M^2的理论计算被引量：4
2003年
通过一个二维半矢量模型求得纯折射率导引脊形波导和掩埋波导这两种常见平面条形半导体激光器波导结构的模式光场分布 ,再通过描述光束传播的非傍轴矢量二阶矩理论 ,通过平面波谱的方法获得激光器出射光束在横向和侧向上的束腰、远场发散角和M2 因子。讨论了波导结构参量变化对M2 因子的影响 ,并对两种波导结构光束的性质与波导参量的关系进行了比较。
朱晓鹏韦欣叶晓军康香宁徐云侯识华孙永伟陈良惠
关键词：条形半导体激光器激光物理光束质量因子
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