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齐鸣

作品数：16 被引量：19H指数：3
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇氮化镓
  • 4篇异质结
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 3篇异质结双极晶...
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇GAN材料
  • 3篇MBE生长
  • 2篇俄歇电子
  • 2篇半导体材料
  • 2篇GAN薄膜
  • 2篇GSMBE
  • 2篇HBT
  • 2篇LEO
  • 2篇GAAS
  • 1篇单相
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化镓薄膜

机构

  • 12篇中国科学院上...
  • 5篇西安交通大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 16篇齐鸣
  • 13篇李爱珍
  • 4篇陈建新
  • 3篇张永刚
  • 2篇孙一军
  • 2篇陈光德
  • 2篇魏茂林
  • 2篇徐卓
  • 2篇赵智彪
  • 2篇任尧成
  • 2篇李伟
  • 2篇苑进社
  • 1篇陈效建
  • 1篇钱峰
  • 1篇郑燕兰
  • 1篇陈新宇
  • 1篇潘菁
  • 1篇杨全魁
  • 1篇陈意桥
  • 1篇周天舒

传媒

  • 6篇功能材料与器...
  • 2篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1987
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理被引量：1
2001年
由于没有合适的衬底材料与之匹配，使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大，从而限制了它的应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3～ 4个数量级，可生长出高质量的 GaN材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。
魏茂林齐鸣李爱珍
关键词：氮化镓半导体LEO
GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究被引量：1
2002年
对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究。结果表明,作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关键,而图形方向对横向生长速率与纵向生长速率之比(L/V)也有重要的影响。通过选择合适的工艺条件,实现了GaN材料的LEO外延生长,所得样品的X射线衍射峰宽比用常规MOCVD法生长的样品减小了1/3。
魏茂林齐鸣孙一军李爱珍
关键词：MOCVD氮化镓
GaN基材料的RF等离子体MBE生长与特性
齐鸣李爱珍李伟赵智彪张永刚陈建新
关键词：GAN基材料MBE生长
1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器被引量：1
2000年
采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量，测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA，在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K，并表现出较好的单纵模特性。
张永刚陈建新陈意桥齐鸣李爱珍
关键词：量子阱激光器INASP/INGAASP
RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究
1999年
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖１０１７ － １０１９ｃｍ －３ 的范围。掺Ｓｉ ＧａＮ 的ＰＬ谱表明，Ｓｉ 的引入可提高材料的发光效率。
李伟赵智彪郑燕兰李存才杨全魁胡建齐鸣李爱珍
关键词：PL谱氧化镓
客户机/服务器体系结构的研究与应用--民航华北空管局生产运行管理信息系统的设计与实现
该文从局域网综合MIS的开发角度出发,以民航华北空管局生产运行管理信息系统(CAATCMIS)作为问题探讨的实际背景,针对综合MIS中局域网网络系统的设计、局域网数据库系统的设计以及客户机/服务器体系结构下的异机种数据库...
齐鸣
关键词：管理信息系统
氮化sio_2薄膜及其界面特性的研究
齐鸣
最高振荡频率为46　GHz的GaInP／GaAs异质结双极晶体管被引量：2
1995年
最高振荡频率为４６　ＧＨｚ的ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管钱峰，陈新宇，肖秀红，姚晓峨，周天舒，潘菁，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）齐鸣，李爱珍（中科院上海冶金所，２０００５０）Ａｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ...
钱峰陈新宇肖秀红姚晓峨周天舒潘菁陈效建齐鸣李爱珍
关键词：异质结双极晶体管半导体器件
MOMBE法生长重C掺杂p型GaAs、InGaAs和SLS特性及其在HBT中应用的研究
齐鸣
立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜被引量：4
2001年
立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制备出了 Ga N薄膜 . XRD测试表明 ,薄膜具有单一的相 .结合对工艺条件的分析 ,认为薄膜具有六方结构 .最后 ,通过 Raman光谱测试 ,证实在立方 Ga As衬底上制备出了单相六方 Ga N薄膜 .还对立方 Ga As衬底上制备出六方 Ga
孙一军李爱珍齐鸣
关键词：金属有机化学气相沉积氮化镓砷化镓衬底
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