陈建新
- 作品数：114 被引量：124H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- InGaP/GaAsHBT费米统计律下的数值模拟计算被引量：1
- 2001年
- 用费米分布函数对HBT结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热场发射-扩散模型的基础上,用两种方法得到的载流子分布分别对InGaP/GaAsHBT进行了数值模拟计算和分析。
- 彭鹏李爱珍陈建新
- 关键词：载流子分布异质结双极型晶体管数值模拟
- InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器被引量：5
- 2012年
- InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配Δa/a=1.5×10-4。研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W。
- 徐庆庆陈建新周易李天兴金巨鹏林春何力
- 关键词：INAS/GASB超晶格红外探测器分子束外延
- 长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器被引量：11
- 2013年
- 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.
- 周易陈建新徐庆庆徐志成靳川许佳佳金巨鹏何力
- 关键词：暗电流
- 一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构
- 本发明公开了一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构。超晶格材料是一种多周期交叠生长的量子结构材料，与传统的平面结HgCdTe材料相比，超晶格探测器一般为原位掺杂的台面结构，无法直接通过激光诱导电流的方法测试吸收...
- 周易陈建新田源
- 一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法
- 本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致...
- 许佳佳陈建新马伟平潘建珍李宁白治中
- 文献传递
- InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究被引量：9
- 2019年
- 针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用干法刻蚀技术实现了320×256规模的台面型带间级联红外焦平面原型器件.焦平面测试结果表明其在80-120K范围内量子效率达到30%,127 K下噪声等效温差为55.1 mK,盲元率为2.3%.采用该焦平面器件在127 K下获得了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.
- 周易柴旭良田源徐志成黄敏许佳佳黄爱波白治中陈红雷丁瑞军陈建新何力
- 关键词：红外焦平面
- 基于PC机的遥感图像高速存储技术被引量：4
- 2004年
- 分析了遥感图像高速存储技术及现状。在详细分析数据采集系统工作机制的基础上,提出了一种性能价格比高、实用性强的高速数据实时存储方案,研制出了平均速度达20MBps的数据存储系统。
- 王跃明陈建新刘银年薛永祺
- 关键词：硬盘总线传输
- 锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势
- 2024年
- 锑化物超晶格红外探测器具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,其探测波长灵活可调,可以覆盖短波至甚长波整个红外谱段,是实现高均匀大面阵、长波、甚长波及双色红外探测器的优选技术,得到了国内外相关研究机构的关注和重视,近年来取得了突破性的进展。文中从锑化物超晶格的基本技术原理出发,梳理总结了超晶格红外探测器的发展历程和当前进展,结合超晶格技术特点的分析,初步探讨了超晶格红外焦平面后续发展趋势。
- 张杰黄敏党晓玲刘益新陈颖超陈建新
- 关键词：红外探测器焦平面
- 1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器被引量：1
- 2000年
- 采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量，测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA，在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K，并表现出较好的单纵模特性。
- 张永刚陈建新陈意桥齐鸣李爱珍
- 关键词：量子阱激光器INASP/INGAASP
- 量子阱红外探测器峰值探测波长的精确设计与实验验证(英文)
- 2012年
- 采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生长了设计峰值波长为8μm的GaAs/AlGaAs多量子阱材料,进而制备了单元器件,并测试了I-V曲线、光谱响应和探测率.I-V曲线的良好对称性显示了材料生长与器件制备工艺的质量,光谱响应曲线表明器件实际的峰值探测波长为7.96～7.98μm,与设计预期值吻合.
- 金巨鹏刘丹陈建新林春
- 关键词：量子阱红外探测器GAASALGAAS峰值波长光谱响应
