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徐志成: 作品数：49 被引量：40H指数：4; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程交通运输工程更多>>

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晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响: 2021年; 通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声子模型和四声子模型计算模拟了光学声子和温度的依赖关系,并和实验结果对比发现,与三声子模型相比,四声子模型与实验数据符合更好,表明温度依赖的拉曼散射峰位的变化必须考虑四次声子非谐振动。相对于晶格失配的样品S1(Sb=37.9%)和S3(Sb=56.2%),获得的声子非谐度在晶格匹配的样品S2(Sb=47.7%)中是最小的,同时通过对声子线宽的研究表明S2中声子寿命是最长的。结合低温光致发光的实验结果,证实了GaAsSb合金晶格振动的声子非谐效应和声子寿命不仅受合金无序散射的影响,同时受到和衬底晶格失配引入的线缺陷和缺陷的声子散射影响。; 储媛媛刘莹妹李生娟徐志成陈建新王兴军

一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法: 本发明公开了一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法。其结构自下而上依次为InAs层、GaAs层、GaAs<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1?x</Sub>层和GaAs层。其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InA...; 王芳芳陈建新徐志成余成章; 文献传递

128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器被引量：3: 2012年; 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.; 许佳佳金巨鹏徐庆庆徐志成靳川周易陈洪雷林春陈建新何力; 关键词：长波红外探测器 GASB 焦平面阵列

一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构: 本专利公开了一种基于锑快门开关的无失配II类超晶格结构。其单周期结构包括GaSb层，InAs层和InAsSb界面层三层结构。其制备方法是在II类超晶格周期性结构生长过程中，GaSb生长后直接生长InAs层，InAs生长后...; 徐志成朱艺红梁钊铭陈凯豪陈建新

基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法: 本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀...; 陈建新王芳芳徐志成周易徐庆庆; 文献传递

320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器被引量：5: 2015年; 报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2μm和5.5μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10^(10) cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为8.6%;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×10~9 cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为9.8%.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像.; 白治中徐志成周易姚华城陈洪雷陈建新丁瑞军何力; 关键词：INAS/GASB 超晶格焦平面

InAs基InAs/Ga(As)Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究（英文）被引量：2: 2019年; 开展了InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在InAs、GaSb体材料和InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格上进行了湿法腐蚀实验,分别获得了其最佳的腐蚀液组分及配比.使用优化的磷酸系腐蚀液对InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格进行腐蚀,获得的腐蚀表面粗糙度仅为1nm.然后使用改进的工艺制备了50%截止波长为12μm的超晶格长波单元器件,实验结果表明磷酸系腐蚀液可以获得低暗电流密度的InAs基InAs/Ga(As)SbⅡ类超晶格长波红外探测器.另外,在81K下,该探测器的表面电阻率(ρSurface)为4.4×10^3Ωcm.; 吴佳徐志成陈建新何力; 关键词：SB

基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器: 本专利公开了一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器。与传统的PIN器件结构相比，带间级联结构通过电子隧穿区和多量子阱弛豫区实现光生载流子的单方向输运，抑制了器件的产生复合电流、隧穿电流和侧壁漏电，从而大大提高该红外探...; 陈建新周易田源柴旭良徐志成; 文献传递

一种超高真空束源炉坩埚除气装置: 本发明公开了一种超高真空束源炉坩埚除气装置，该装置包括：在真空腔室上通过第一刀口法兰与真空规管上的第五刀口法兰连接，通过第二刀口法兰与闸板阀上的第六刀口法兰连接，通过第三和第四刀口法兰分别安装2台束源炉上的第九刀口法兰连...; 陈建新金博睿徐志成

基于多层薄膜的长波红外InAs/GaSbⅡ类超晶格焦平面光响应调控研究被引量：2: 2022年; 本文基于长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列(Focal Plane Array,FPA)设计和生长了由ZnS和Ge组成的多层薄膜结构。与没有多层薄膜的FPA相比,多层薄膜使其响应峰位置从8.7μm和10.3μm分别移动到9.8μm和11.7μm,50%响应截止波长从11.6μm移动至12.3μm,并且在波长为12μm处的响应强度增加了69%。总之,优化的多层薄膜可以调控FPA的响应波长,这为实现更高灵敏度和更高成像能力的长波红外探测提供了更好的平台。; 史睿周建白治中徐志成周易梁钊铭师瑛徐庆庆陈建新; 关键词：焦平面阵列