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白治中: 作品数：32 被引量：31H指数：3; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>

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背接触层结构及其制备方法、包括其的CdTe薄膜太阳能电池: 本发明涉及新型CdTe薄膜太阳能电池。更具体地，本发明涉及一种用于CdTe薄膜太阳能电池的新型背接触层结构，其中包括依次设置在CdTe薄膜上的MoO<Sub>3</Sub>背接触缓冲层和金属背电极层。本发明还涉及制造这样...; 王德亮白治中

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究被引量：3: 2019年; 报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。; 许佳佳黄敏徐庆庆徐庆庆徐志成王芳芳白治中周易陈建新; 关键词：刻蚀焦平面

碲化镉薄膜太阳电池中的关键科学问题研究被引量：2: 2013年; 文章对CdTe薄膜太阳电池中的4个关键科学问题进行了讨论,并对电池器件的性能进行了研究,其中包括高质量硫化镉薄膜、背接触层、CdS/CdTe界面和CdCl2热处理性能的研究。文章作者研究了背电极接触层中Cu掺杂含量对电池性能的影响,通过改变背接触层中Cu的含量,可以改变Cu与Te反应产生的物相成分,从而发现以Cu1.4Te为主导的背接触缓冲层能有效地减少电池I—V曲线中的"翻转"(roll-over)现象,同时能有效地降低背接触势垒。此外,还研究了CdS/CdTe界面的CdCl2热处理反应,发现当热处理温度高于350℃时,CdS与CdTe之间的互扩散开始发生,此温度对应于CdS由立方相转变为六方相;而在550℃热处理后,S和Te互扩散形成的CdSxTe1-x化合物,其x值高达11%。通过优化电池制备工艺,获得了在AM1.5标准光源下高达14.6%的CdTe电池转换效率。; 王德亮白治中杨瑞龙侯泽荣; 关键词：太阳电池碲化镉

一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法: 本发明公开一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括：对准、加压及加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了...; 黄玥白治中周松敏王建新林春叶振华丁瑞军

320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器被引量：5: 2015年; 报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2μm和5.5μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10^(10) cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为8.6%;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×10~9 cmHz^(1/2)W^(-1),盲元率为9.8%.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像.; 白治中徐志成周易姚华城陈洪雷陈建新丁瑞军何力; 关键词：INAS/GASB 超晶格焦平面

CdTe薄膜太阳电池在极端光强条件下的器件性能研究: Module Costs CdTe薄膜太阳电池特点优点:1.直接带隙半导体:1.45 eV;高吸收系数:105cm-1电池所需厚度:2-8 m2.CdTe薄膜可以采用多种方法制备:进空间升华(CSS)、蒸汽输运沉积(V...; 沈凯李玮杨瑞龙王德钊白治中王德亮

一种基于太阳电池的光控开关: 本发明提供了一种基于太阳电池的光控开关，包括太阳电池、电压比较电路和开关电路，其以高光电转换效率、低成本的太阳电池代替传统光敏电阻，避免了光敏电阻光控开关灵敏度低和稳定性差等缺点；碲化镉太阳电池对于光照强度十分灵敏，提高...; 王德亮肖迪白治中杨瑞龙沈凯王德钊

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波红外双色640×512规模焦平面探测器: 本文报道640×512规模InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的研究结果。探测器采用N-P-N叠层双色器件结构,通过调节器件工作电压实现器件在4.5μm和5.8μm两个截止波段的切换,从而实现双波段的顺...; 白治中徐志成周易黄爱波陈洪雷陈建新丁瑞军何力; 关键词：INAS/GASB 焦平面探测器双波段焦平面中波红外

面向高工作温度应用的带间级联红外光电器件被引量：1: 2022年; 高温工作探测器是第三代红外焦平面发展的重要方向之一。带间级联探测器结合了势垒结构与多级吸收区结构的特点,通过多量子阱弛豫和隧穿实现光生载流子单方向输运,可以有效降低来自PN结耗尽区的产生-复合暗电流;利用多级短吸收区结构,在扩散长度很短的情况下仍然可以有效地收集光生载流子,从而可以提高探测器在高工作温度下的探测性能。本文主要介绍了作者在带间级联红外光电器件方面的研究进展,包括高工作温度带间级联探测器、高带宽带间级联探测器以及带间级联发光器件等。; 柴旭良周易周易王芳芳徐志成朱艺红周建郑露露黄敏白治中白治中黄爱波丁瑞军丁瑞军; 关键词：红外焦平面发光二极管

一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法: 本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致...; 许佳佳陈建新马伟平潘建珍李宁白治中