王芳芳
- 作品数：33 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学交通运输工程建筑科学更多>>
- 一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器
- 本发明公开了一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器。本发明中，由解理形成的腔面和一阶光子晶体形成的布拉格反射器构成了一个谐振腔，靠近解理腔面一侧有若干个空气狭缝构成的耦合光栅。当解理腔面与布拉格反射器构成的谐...
- 徐刚毅何力俞辰韧朱欢常高垒朱海卿王凯白弘宙王芳芳陈建新林春
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- 太赫兹二级分布反馈量子级联激光器中的模式竞争与功率特性
- 2017年
- 结合实验和理论计算研究了太赫兹二级分布反馈量子级联激光器中的模式竞争和功率特性.研究表明,激光器在整个动力学范围内均稳定地工作在横向及纵向的基模.横向基模的产生原因是脊条两侧的吸收边界有效提高了高阶横模的损耗.纵向基模的产生原因主要是谐振腔内基模与高阶纵模的电磁场分布交叠较大,并且频率接近,从而有效避免了增益在空间和频域的烧孔效应.此外,激光器的辐射效率随分布反馈光栅长度的增加而减小,导致只有在特定的光栅长度才能获得最大的输出功率.该工作有助于高性能单模太赫兹激光器及锁相激光器阵列的研制.
- 颜全王芳芳朱欢俞辰韧徐刚毅陈建新何力
- 关键词：太赫兹量子级联激光器单模
- 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构
- 本实用新型公开了一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构。其结构自下而上依次为镓砷锑层和砷化铟层。与传统的II类超晶格结构相比，其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InAs衬底替代，使得超晶格生长温度大幅度提高，生长温度的...
- 王芳芳陈建新徐志成周易
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- 面向高工作温度应用的带间级联红外光电器件被引量：1
- 2022年
- 高温工作探测器是第三代红外焦平面发展的重要方向之一。带间级联探测器结合了势垒结构与多级吸收区结构的特点,通过多量子阱弛豫和隧穿实现光生载流子单方向输运,可以有效降低来自PN结耗尽区的产生-复合暗电流;利用多级短吸收区结构,在扩散长度很短的情况下仍然可以有效地收集光生载流子,从而可以提高探测器在高工作温度下的探测性能。本文主要介绍了作者在带间级联红外光电器件方面的研究进展,包括高工作温度带间级联探测器、高带宽带间级联探测器以及带间级联发光器件等。
- 柴旭良周易周易王芳芳徐志成朱艺红周建郑露露黄敏白治中白治中黄爱波丁瑞军丁瑞军
- 关键词：红外焦平面发光二极管
- 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法
- 本发明公开了一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法。其结构自下而上依次为InAs层、GaAs层、GaAs<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1‑x</Sub>层和GaAs层。其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InA...
- 王芳芳陈建新徐志成余成章
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- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究被引量：3
- 2019年
- 报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。
- 许佳佳黄敏徐庆庆徐庆庆徐志成王芳芳白治中周易陈建新
- 关键词：刻蚀焦平面
- 基于体硅键合技术的悬臂微桥可调谐红外滤波器
- 一种基于体硅键合技术的大面积悬臂微桥工艺的静电调谐红外滤波器，动镜和静镜独立加工，利用铟互联为一体，形成静电电压驱动可调谐的F‑P滤波器结构。本实用新型有效解决利用牺牲层技术透光面积有限、不耐真空低温冲击等缺陷。采用铟粘...
- 应翔霄周易周建王芳芳陈建新
- 用于测量太赫兹量子级联激光器增益的器件及测量方法
- 本发明公开了一种用于测量太赫兹量子级联激光器增益的器件及测量方法。本发明采用光栅耦合器及吸收边界制作了激光器与两个不同长度的放大器的单片集成结构，通过测量激光在两个放大器中传播后耦合出射的功率，结合激光在放大器中的传播规...
- 徐刚毅何力朱欢俞辰韧常高垒朱海卿陈建新王芳芳颜全
- 一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法
- 本发明公开了一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法。其结构自下而上依次为InAs层、GaAs层、GaAs<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1?x</Sub>层和GaAs层。其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InA...
- 王芳芳陈建新徐志成余成章
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- 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法
- 本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀...
- 陈建新王芳芳徐志成周易徐庆庆
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