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翁建华

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路
  • 1篇双栅
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇晶体管
  • 1篇混频
  • 1篇混频器
  • 1篇集成电路
  • 1篇半绝缘
  • 1篇背栅
  • 1篇背栅效应
  • 1篇GAASMM...
  • 1篇MESFET
  • 1篇MESFET...
  • 1篇场效应

机构

  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 2篇夏冠群
  • 2篇翁建华
  • 1篇张美圣
  • 1篇郝幼申
  • 1篇李洪芹
  • 1篇赵建龙
  • 1篇程知群
  • 1篇刘汝萍

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaAsMMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究被引量：1
2000年
对微波单片集成 (简称 MMIC)双栅 MESFET混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双栅 MESFET的理论分析与实验结果 ,建立了一种栅压调制 I- V特性的经验模型 ,推导了双栅 FET混频器变频增益公式。分析了栅压对改变非线性跨导在混频器中的作用。最后设计并加工出了芯片面积为 0 .75 mm× 1 .5 mm Ga As MMIC双栅 FET混频器。
孙晓玮程知群夏冠群李洪芹翁建华
关键词：砷化镓微波单片集成电路场效应晶体管混频器
半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应
2000年
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘ＧａＡｓ 衬底上制备ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ 器件．研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小．结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大．
刘汝萍夏冠群赵建龙翁建华张美圣郝幼申
关键词：MESFET背栅效应砷化镓半绝缘
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