邹祥云
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 硫化处理对不同极性InN表面电荷累积层的影响
- 本文采用硫化铵化学处理的方法对InN表面高密度的累积层进行调控。由霍尔测试结果表明,硫化处理后,InN薄层电导发生改变,并结合层状模型,提取表层和体层的电子输运特性,发现不同极性的InN表面电荷累积层的载流子浓度均有所降...
- Xiangyun Zou邹祥云Xinqiang Wang王新强Xiantong Zheng郑显通Dingyu Ma马定宇Yixiang Jiang蒋一祥Jinshe Yuan苑进社
- 关键词：载流子浓度
- 沉积温度对PECVD法制备SiN_x薄膜光致发光峰的影响
- 2012年
- SiNx薄膜已经被广泛地应用于晶体硅太阳能电池表面作为减反和钝化膜,所以对SiNx薄膜的光学性质研究很有必要。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在p型单晶硅(111)衬底上成功地制备了不同温度条件下的SiNx薄膜。室温下,在352 nm光源激发下,每个样品有2个发光位置,所有样品总共观测到了4处不同的发光峰位:390、471、545、570 nm,并且发现温度对390 nm处的发光峰位置无影响。由于杂质的引入在带间形成了局域化的缺陷能级,缺陷态能级和导带以及价带之间的跃迁是其主要的跃迁机制。因此,可以通过控制薄膜的生长条件来控制各个缺陷态密度,从而可以实现氮化硅薄膜在可见光范围内的可控发光。
- 蒋一祥苑进社邹祥云
- 关键词：PECVDSINX光致发光
- 氮化硅薄膜中硅纳米颗粒的形成机制研究被引量：4
- 2012年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以SiH_4作为硅源,NH_3和N_2共同作为氮源,在单晶硅衬底上制备了不同的氮化硅薄膜.X射线衍射分析薄膜晶体结构,通过计算晶格尺寸大小证明了纳米硅颗粒的存在.傅里叶变换红外光谱分析了薄膜中的键合作用的变化并结合化学反应过程对氮化硅薄膜中纳米硅颗粒的形成机制进行了研究,发现Si—Si键作为硅纳米颗粒的初始位置,当反应朝着生成Si—Si的方向进行时,可以促进氮化硅薄膜中硅纳米颗粒的形成.X射线衍射分析和光致发光实验结果表明Si—Si键浓度增大时,所形成的纳米硅颗粒的尺寸和浓度都随之增大.
- 邹祥云苑进社蒋一祥
- 关键词：氮化硅薄膜键合作用
- 生长温度对分子束外延AlN薄膜的影响
- 2012年
- 研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延AlN薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现:随着生长温度的提高,RHEED条纹更加纤细、更加细锐;在低温下,AlN表面有密集的小岛状晶粒结构,但随着温度的升高,小岛之间开始聚合,并形成大范围的原子力台阶,表明AlN薄膜在高温下有良好的二维生长模式;(002)和(102)面XRD半高宽结果进一步表明AlN薄膜的二维生长模式,且在高温下,AlN薄膜中的刃型位错密度大大减小。说明提高生长温度有助于提高AlN薄膜的晶体质量,获得平坦的表面。
- 李瑶郑显通刘帆蒋一翔邹祥云苑进社
- 关键词：分子束外延AINRHEEDAFM
- 硫化处理对不同极性INN表面电荷累积层的影响
- 本文采用硫化铵化学处理的方法对INN表面高密度的累积层进行调控.由霍尔测试结果表明,硫化处理后,INN薄层电导发生改变,并结合层状模型,提取表层和体层的电子输运特性,发现不同极性的INN表面电荷累积层的载流子浓度均有所降...
- 邹祥云王新强郑显通马定宇蒋一祥苑进社
- 关键词：INN载流子浓度
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