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刘帆

作品数:9 被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇光栅
  • 4篇光栅耦合
  • 3篇透射
  • 3篇金属光栅
  • 2篇导体
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体激元
  • 2篇探测器
  • 2篇透射式
  • 2篇紫外波段
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇灵敏度
  • 2篇流体
  • 2篇流体层
  • 2篇敏度
  • 2篇禁带
  • 2篇宽禁带

机构

  • 6篇中国科学院
  • 5篇重庆师范大学

作者

  • 9篇刘帆
  • 4篇苑进社
  • 4篇李海军
  • 3篇付凯
  • 3篇张宝顺
  • 3篇刘冬
  • 3篇杨乐臣
  • 2篇郑显通
  • 2篇李瑶
  • 2篇熊敏
  • 1篇王逸群
  • 1篇邹祥云
  • 1篇时文华
  • 1篇蒋一翔

传媒

  • 3篇重庆理工大学...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 8篇2012
  • 1篇2011
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种高灵敏度紫外探测器的制备方法
本发明揭示了一种高灵敏度紫外探测器的制备方法,该方法以调节宽禁带半导体的材料组分来实现对紫外波段的选择性探测。特别通过在该宽禁带半导体制备表面柱阵列结构,再采用紫外透光导电材料沉积并覆盖表面柱阵列结构区域作为肖特基接触电...
付凯李海军杨乐臣刘冬刘帆熊敏张宝顺
文献传递
一种高灵敏度紫外探测器的制备方法
本发明揭示了一种高灵敏度紫外探测器的制备方法,该方法以调节宽禁带半导体的材料组分来实现对紫外波段的选择性探测。特别通过在该宽禁带半导体制备表面柱阵列结构,再采用紫外透光导电材料沉积并覆盖表面柱阵列结构区域作为肖特基接触电...
付凯李海军杨乐臣刘冬刘帆熊敏张宝顺
生长温度对分子束外延AlN薄膜的影响
2012年
研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延AlN薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现:随着生长温度的提高,RHEED条纹更加纤细、更加细锐;在低温下,AlN表面有密集的小岛状晶粒结构,但随着温度的升高,小岛之间开始聚合,并形成大范围的原子力台阶,表明AlN薄膜在高温下有良好的二维生长模式;(002)和(102)面XRD半高宽结果进一步表明AlN薄膜的二维生长模式,且在高温下,AlN薄膜中的刃型位错密度大大减小。说明提高生长温度有助于提高AlN薄膜的晶体质量,获得平坦的表面。
李瑶郑显通刘帆蒋一翔邹祥云苑进社
关键词:分子束外延AINRHEEDAFM
基于光栅耦合增强型表面等离子体共振传感器的机理研究
基于金属光栅耦合,利用表面等离子体激元的局域特性和光栅的选频特性,实现了表面等离子体共振传感器信号的增强和滤波功能。以讨论表面等离子体激元的基本物理特性为基础,利用有限时域差分数值模拟方法为辅助手段结合实验,对金属膜上表...
刘帆
关键词:SPR传感器透射特性
文献传递
MBE生长的GaN的物性
2012年
用分子束外延技术制备了厚度为0.8μm的GaN样品。采用反射高能电子衍射、原子力显微镜和高分辨率X光衍射仪对样品进行了表征分析。研究发现:样品中刃位错密度为2.2×1010cm-2,比螺位错密度高1个数量级;室温光致发光的研究发现很强的带边峰,黄带和蓝带发光比带边峰强度要低1~2个数量级;室温霍尔测量发现迁移率为129 cm2/v.s,载流子浓度为2.421×1014cm-3。实验结果表明,采用MBE方法生长的GaN能有效降低背景浓度,但是晶体质量较差,位错密度较高。
郑显通苑进社李瑶刘帆
关键词:分子束外延氮化镓表面形貌光致发光电学性质
透射式金属光栅耦合SPR检测芯片及检测仪
本发明公开了一种透射式金属光栅耦合SPR检测芯片及检测仪,用于检测微流体中目标分析物。该检测芯片包括:透光性基底;形成于基底上的、具有光栅结构的金属膜层;以及覆设于金属膜层表面的微流体层,所述微流体层中分布有微流体通道,...
张宝顺刘帆李海军付凯刘冬杨乐臣
文献传递
透射式金属光栅耦合SPR传感器被引量:5
2012年
用磁控溅射技术在双面抛光的蓝宝石衬底上沉积了20 nm Ti和100 nm Au的金属薄膜,通过标准光刻工艺制备出1.6和2.0μm两种周期结构的一维光栅表面等离子体共振(SPR)传感器。用时域有限差分算法(FDTD)模拟仿真并结合实验测试的透射光谱,研究分析了不同周期结构的金属薄膜光栅型SPR传感器的特性。基于金属光栅耦合,利用表面等离子体激元(SPP)的局域特性和光栅的选频特性,实现了SPR传感器的信号增强和滤波功能。研究结果表明,利用金属薄膜光栅表面介质的变化引起的光栅透射光谱中激发表面等离子体共振峰的位置变化,可以获得被测物体的物理、生物和化学等相关特征信息。
刘帆苑进社李海军
关键词:SPR传感器表面等离子体激元金属光栅透射
GaAs衬底制备40nmT型栅工艺被引量:1
2012年
采用双层胶工艺电子束光刻在GaAs衬底上制备40 nm栅长T型栅。制备过程仅需1次曝光1次显影,使得工艺制备过程得到简化;优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条。实验结果表明,该方法能制备40 nm栅长的T型栅,基本满足器件制作要求。
刘帆苑进社时文华
关键词:T型栅
一种金属光栅耦合SPR检测芯片及其制作方法
本发明公开了一种金属光栅耦合SPR检测芯片及其制作方法。该检测芯片包括透明基底,以及形成于基底上的金属光栅耦合层,还有覆设于金属光栅耦合层上的微流体层;其制作方法为:应用激光全息光刻工艺在均匀涂抹于基底表面的光刻胶上形成...
王逸群刘帆
文献传递
共1页<1>
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