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555振荡电路低频段的研究及其应用被引量：1: 2012年; 针对555电路低频率段波形的失真问题,通过设计电路使波形有所改善,使555产生的信号能在电路中得到应用.; 钱侬; 关键词：触发振荡双稳态

317调压稳压电源在台式多用恒温振荡器上的应用及改进方法: 2013年; 针对12V直流电源振荡器在细胞培养及分子生物学买验中，由于其长期运行磨损而引起负载增大，从而造成电路异常的问题，探讨用LM317T及复合管扩展电路来增大输出功率，用特性指标、质量指标、输出电阻及纹波系数评价其稳压特性，用数字万用表、晶体管毫伏表进行多次反复比较测量，结果显示，通过采用复合调整管，合理调节R5阻值，在不破坏稳压特性的前提下，可使输出电流扩大6倍，大大提高了317稳压电源的负载能力和工作效率．; 钱侬; 关键词：扩流稳压电源

SiCOH低k介质中低表面粗糙度沟道的刻蚀研究被引量：1: 2014年; 采用60 MHz/2 MHz双频率驱动的容性耦合放电等离子体技术,以C2F6/O2/Ar为刻蚀气体,开展了SiCOH低k介质中刻蚀低表面粗糙度沟道的研究。主要研究了O2/C2F6流量比对与SiCOH低k薄膜之间的刻蚀选择性的影响,以及O2/C2F6流量比、下电极功率对沟道刻蚀特性的影响。发现在O2/C2F6流量比为0.1以下时,光致抗蚀剂掩膜层与SiCOH低k薄膜之间具有较好的刻蚀选择性。对于沟道刻蚀,在O2/C2F6流量比为0.1时,下电极功率对沟道的表面粗糙度和剖面结构具有明显的影响。在下电极功率为30 W时,刻蚀的沟道底部平坦、沟道壁陡直,槽形完好,沟道底面的平均表面粗糙度降低至3.32 nm,因此,可以在SiCOH低k薄膜中刻蚀剖面结构完整的低表面粗糙度沟道。; 钱侬叶超崔进; 关键词：表面粗糙度

SiC过渡层制备温度对碳化硅/氟化类金刚石复合薄膜血液相容性的影响被引量：2: 2014年; 以316L不锈钢为基底,SiC晶体为靶材,Ar为源气体,采用磁控溅射法在不同温度下制备出系列SiC过渡层.然后以高纯石墨作靶,Ar和CHF_3为源气体,在同一工艺条件下再续镀一层氟化类金刚石(F-DLC)薄膜,形成SiC/F-DLC复合薄膜.研究表明,相比于F-DLC薄膜,复合薄膜的附着力显著增加,血液相容性明显改善.通过样品的拉曼和红外光谱分析了不同温度下制备的SiC过渡层以及复合薄膜结构的演变.结果表明,控制SiC过渡层制备温度可以有效调制过渡层中C=C键的比例以及—C—C—不饱和键的密度,复合薄膜中保留较高比例的芳香环式结构以及合适的F/C比是薄膜的血液相容性得以进一步改善的原因,SiC过渡层制备温度控制在500℃左右效果尤为明显.SiC薄膜和F-DLC两种薄膜的界面处形成一定比例的Si—C键和C=C键是导致复合薄膜附着力显著上升的直接原因.适当条件下在316L不锈钢和F-DLC薄膜之间增加SiC过渡层对于增强薄膜的附着力、改善其血液相容性是可行、有效的.; 佘清江美福钱侬潘越; 关键词：磁控溅射血液相容性 SIC

激光计时装置设计: 2013年; 针对秒表计时精度和手控灵敏度不佳的问题，设计一个利用激光发射和激光接收（PY1）进行信号感应接收，运放和主控门电路进行信号放大、整形和控制来提高灵敏度，利用晶体振荡电路和分频电路进行计时，BCD译码显示电路显示时间，以提高计时的精确度．; 钱侬; 关键词：激光信号

O_2流量对O_2/C_2F_6等离子体处理的硅油光致发光性能影响: 2012年; 研究了O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能.发光谱覆盖了250～600 nm的光谱范围,由290nm、410 nm、468 nm、481 nm、491 nm和552 nm的6个发光峰组成.O2流量的增大使290 nm、410 nm、552 nm的发光峰增强,468 nm的发光峰强度减弱.光致发光性能与等离子体作用导致的氧缺乏中心、C悬挂键、Si悬挂键的形成有关.; 陈天钱侬袁颖叶超; 关键词：硅油光致发光

射频输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和附着特性的调制机理被引量：2: 2017年; 以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF_3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶F∶Si薄膜。研究了射频输入功率对薄膜的附着力、硬度和表面接触角的影响。结果表明,选取适当的输入功率(180W左右)可以制备出附着力达11N的DLC∶F∶Si薄膜。通过拉曼和红外光谱分析以及样品粗糙度分析,作者提出了输入功率对DLC∶F∶Si薄膜结构和特性调制的机理,即输入功率直接影响SiC靶的溅射产额、空间Ar^+的能量以及CHF_3的分解程度,继而影响空间Si、C、-CF、-CF_2,特别是F~*等基团的能量和浓度,调制薄膜中F含量以及Si-C键含量和C网络的关联度。Si-C、C=C键的增加有助于薄膜附着力的明显改善,F含量的减少则会导致薄膜的疏水性能有所下降。; 吴伟朱志鹏张剑东闵嘉炜江美福钱侬; 关键词：射频反应磁控溅射共掺杂

C_2F_6、C_4F_8的双频电容耦合等离子体特性研究: 2010年; 采用发射光谱技术,研究了C2F6、C4F8气体的双频电容耦合放电等离子体中F、CF2基团密度以及F/CF2强度比随高频功率、低频功率、放电气压的变化关系.实验结果表明,在双频电容耦合放电等离子体中,高频功率、低频功率、放电气压的改变,使C2F6或C4F8等离子体中出现不同分解过程,这种对气体分解反应的选择性为实现双频等离子体刻蚀薄膜的精确控制提供了可能.; 黄宏伟钱侬叶超; 关键词：等离子体发射光谱

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