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靖向萌

作品数：3 被引量：10H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电调
  • 2篇选通
  • 2篇滤波器
  • 2篇基片集成
  • 2篇基片集成波导
  • 2篇集成波导
  • 2篇波导
  • 2篇波导滤波器
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇通孔
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇感应耦合
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇TGV
  • 1篇ICP

机构

  • 3篇中国科学院微...
  • 1篇华进半导体封...

作者

  • 3篇靖向萌
  • 2篇曹立强
  • 2篇李君
  • 2篇张静
  • 2篇苏华伟
  • 1篇于大全

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法
本发明提出一种中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法。本发明根据波导谐振频率的电调节的方法，利用在滤波器谐振腔内加载调谐导电柱，实现对谐振腔的谐振频率的扰动，并通过在顶部金属层上形成由导电膜桥形成的开关对多个调谐导...
苏华伟张静李君靖向萌曹立强
应用于TGV的ICP玻璃刻蚀工艺研究被引量：10
2014年
玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域中深孔形成的重要手段之一。本文通过正交实验设计方法,研究ICP石英玻璃刻蚀工艺中工作压强、C4F8流量、Ar流量三个工艺参数对深孔刻蚀的影响,探索提高刻蚀速率的优化组合。实验结果表明,C4F8流量对玻璃刻蚀速率有显著影响,并且随着C4F8/Ar流量比减小,侧壁角度垂直性越好。实验为TGV技术开发和应用提供了实验依据。
张名川靖向萌王京杨盟于大全
关键词：感应耦合等离子体刻蚀刻蚀速率正交实验
中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法
本发明提出一种中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法。本发明根据波导谐振频率的电调节的方法，利用在滤波器谐振腔内加载调谐导电柱，实现对谐振腔的谐振频率的扰动，并通过在顶部金属层上形成由导电膜桥形成的开关对多个调谐导...
苏华伟张静李君靖向萌曹立强
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