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基于AMOLED显示的氧化铟锌薄膜晶体管: 以80∶20(质量比)的ZnO-In2O3 混合粉体为原料通过热压烧结制备氧化铟锌靶材(IZO),磨削、抛光、超声清洗后通过磁控溅射制备氧化铟锌薄膜晶体管(IZO TFTs),研究不同烧结温度(850 oC、900 oC...; 宋二龙兰林锋肖鹏林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪; 关键词：热压烧结薄膜晶体管

一种喷墨打印有机电致发光显示器及其制备方法: 本发明提供了一种喷墨打印有机电致发光显示器及其制备方法。所述显示器结构包括依次层叠的透明衬底，图案化的透明阳极层，空穴注入层，空穴传输层，发光层及金属阴极，所述的发光层包含可溶性有机小分子和聚合物共混材料。本发明提出了可...; 彭俊彪刘南柳许伟王坚刘会敏孙圣; 文献传递

薄膜晶体管的界面修饰及相关器件研究: 薄膜晶体管(TFT)在场效应晶体管(FET)的基础上发展而来,其特点为以沉积方式成膜,分别形成半导体、金属电极和绝缘体薄膜。TFT主要应用于平板显示的驱动背板上。近年来,薄膜晶体管,尤其是有机薄膜晶体管(OTFT)和金属...; 孙圣; 关键词：薄膜晶体管双极型反相器发光晶体管; 文献传递

热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管被引量：3: 2017年; 本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌(IZO)靶材和薄膜晶体管(TFT)性能的影响。以80%:20%(质量分数比)的ZnO和In_2O_3的混合粉体为原料通过热压烧结法制备IZO靶材,以制备的靶材通过磁控溅射制备IZO TFT。X射线衍射(XRD)图谱以及扫描电镜(SEM)图像表明IZO靶材结晶性好,元素分布均匀。烧结温度为850℃时靶材呈现烧结致密化,900℃-60 min条件下In_2O_3的挥发破坏了靶材烧结致密化。提高烧结温度或延长烧结时间加速In向ZnO晶格的扩散以及空位向表面迁移,有利于靶材致密化以及形成InZnO_x晶相。TFT器件表征结果表明低密度和过高密度靶材会恶化薄膜质量,降低器件性能,可见适当高密度的靶材对制备TFT至关重要,最终900℃-90 min条件的靶材所制备的TFT性能最好,迁移率为16.25 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。; 宋二龙兰林锋林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪; 关键词：薄膜晶体管热压烧结靶材磁控溅射

一种喷墨打印有机电致发光显示器及其制备方法: 本发明提供了一种喷墨打印有机电致发光显示器及其制备方法。所述显示器结构包括依次层叠的透明衬底，图案化的透明阳极层，空穴注入层，空穴传输层，发光层及金属阴极，所述的发光层包含可溶性有机小分子和聚合物共混材料。本发明提出了可...; 彭俊彪刘南柳许伟王坚刘会敏孙圣

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孙圣