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于成浩

作品数:6 被引量:3H指数:1
供职机构:哈尔滨工程大学更多>>
相关领域:航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 3篇单粒子
  • 2篇单粒子烧毁
  • 2篇电荷量
  • 2篇电压
  • 2篇信息损失
  • 2篇积分
  • 2篇积分型
  • 2篇功率半导体
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷收集
  • 1篇电极
  • 1篇电流
  • 1篇电流密度
  • 1篇噪声
  • 1篇少子寿命
  • 1篇双采样

机构

  • 6篇哈尔滨工程大...

作者

  • 6篇于成浩
  • 5篇王颖
  • 2篇曹菲
  • 2篇高松松
  • 2篇刘云涛
  • 1篇兰浩

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种辐射探测器像素结构
本发明涉及一种应用在粒子探测器、辐射探测器中的辐射探测器像素结构。传感器电荷收集电极为三维电极由重掺杂硅沟槽构成,每个像素电极由硅深沟槽结构隔离开,传感器电荷收集电极和像素隔离都为深沟槽结构,且相等深度。传感器电荷收集电...
王颖胡海帆兰浩于成浩魏佳童
文献传递
一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器
本发明涉及一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器。本发明采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器,包括光电传感器、电荷积分器、相关双采样或数字相关双采样装置、模数转换器,所述电荷积分器的输出信号经过电压...
王颖高松松于成浩刘云涛
文献传递
一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法
本发明涉及一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法,其特征在于:其特征在于:将功率半导体器件漂移区按横向厚度均匀分成2—4个区域,针对其中一个区域降低少子寿命;将功率半导体器件漂移区按纵向厚度均匀分成2—4个区域,针对其中一个...
王颖于成浩曹菲胡海帆
文献传递
功率MOSFET单粒子效应及辐射加固研究
随着航空航天工程的不断发展,空间仪器需要在辐射环境中大量应用。空间辐射环境含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应主要包括单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)两...
于成浩
关键词:单粒子效应电流密度
一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法
本发明涉及一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法,其特征在于:其特征在于:将功率半导体器件漂移区按横向厚度均匀分成2—4个区域,针对其中一个区域降低少子寿命;将功率半导体器件漂移区按纵向厚度均匀分成2—4个区域,针对其中一个...
王颖于成浩曹菲胡海帆
文献传递
一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器
本发明涉及一种采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器。本发明采用电压积分输出的电压积分型CMOS图像传感器,包括光电传感器、电荷积分器、相关双采样或数字相关双采样装置、模数转换器,所述电荷积分器的输出信号经过电压...
王颖高松松于成浩刘云涛
文献传递
共1页<1>
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