张弛
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 硅晶体生长过程中孪晶形成的分子动力学模拟研究
- 分子动力学方法模拟研究了硅晶体生长过程中孪晶的形成,采用Tersoff势计算硅原子间相互作用.主要考察了硅晶体沿(110)、(100)、(111)与(112)面生长时孪晶的形成规律.结果发现:晶体沿(111)面生长时,(...
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- 关键词：硅晶体孪晶分子动力学模拟
- 应变对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究被引量：1
- 2014年
- 基于Tersoff势描述的硅原子间相互作用,通过分子动力学方法模拟考察了在垂直于生长方向上分别对晶体施加了不同应变时,硅沿[100]和[112]晶向的晶体生长。结果显示,在压应变条件下,随着应变的增大晶体生长速率减小;而在拉应变条件下,在小应变范围内,晶体生长速率随应变增大并不减小,甚至还可能增大,只有当应变达到一定程度时,晶体生长速率才会随着应变的增大而减小;拉应变对[112]方向生长中液-固界面的形态也产生了显著影响。
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- 关键词：晶体生长硅分子动力学
- 硅晶体生长速率与过冷度关系的分子动力学模拟研究被引量：2
- 2016年
- 基于Tersoff势函数描述硅原子间的相互作用,运用分子动力学方法模拟研究了不同过冷度条件下硅晶体凝固生长速率。结果发现,在一定过冷度范围内,硅晶体的生长速率随过冷度的增大而呈先快速增大后缓慢减小的趋势,并最终趋于不生长。同时,运用Wilson-Frenkel模型从理论上对硅晶体生长速率与过冷度关系进行了预测,分子动力学模拟结果与Wilson-Frenkel模型预测结果基本吻合,表明了硅晶体沿[100]方向的生长是一种扩散型生长。
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- 关键词：晶体生长过冷度分子动力学模拟
