吴小元
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
- 一种HWCVD设备镀膜腔体
- 本实用新型公开了一种HWCVD设备镀膜腔体，单个腔体内设置多排热丝与多块载板，各载板与所面向的热丝排间的距离是1‑13cm，且各载板与相邻热丝排间距相同或不同，热丝排内相邻热丝间距是1‑13cm，且热丝排内各热丝间距相同...
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- 基底温度对c-Si(100)面生长a-Si∶H薄膜结构特性影响的分子动力学模拟研究被引量：1
- 2014年
- 运用分子动力学方法模拟了不同基底温度下在硅(100)表面沉积生长氢化非晶硅薄膜的过程。Si-H体系的原子间相互作用采用Murty-Tersoff势计算。结果得到:随着基底温度的升高,a-Si∶H薄膜表面粗糙度降低,内部致密度提高,H原子、Si-H键和悬挂键密度均减少。进一步分析发现,粗糙度和致密度随基底温度变化的原因是基底温度升高增大了表面原子的扩散能力;而H原子和Si-H键等含量随基底温度升高而下降是因为高温下Si-H弱键更易断键导致。悬挂键密度随基底温度升高而降低则主要是由于内部原子的晶化率增大引起。
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- 关键词：氢化非晶硅分子动力学
- 应变对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究被引量：1
- 2014年
- 基于Tersoff势描述的硅原子间相互作用,通过分子动力学方法模拟考察了在垂直于生长方向上分别对晶体施加了不同应变时,硅沿[100]和[112]晶向的晶体生长。结果显示,在压应变条件下,随着应变的增大晶体生长速率减小;而在拉应变条件下,在小应变范围内,晶体生长速率随应变增大并不减小,甚至还可能增大,只有当应变达到一定程度时,晶体生长速率才会随着应变的增大而减小;拉应变对[112]方向生长中液-固界面的形态也产生了显著影响。
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- 关键词：晶体生长硅分子动力学
- 一种低成本金属电极制备方法
- 本发明涉及一种低成本金属电极制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1：电极预制：在透明导电氧化物膜上通过物理气相沉积法制备铝电极→S2：电极镀膜保护：在不破真空的条件下，通过物理气相沉积法和非接触掩膜在铝电极的表面镀上金...
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- 硅晶体凝固生长及位错形核的分子动力学模拟研究
- 晶体硅是当前和未来相当一个时期主要的光伏材料。它一般通过直拉法和定向凝固法获得。前者得到单晶硅棒，后者得到多晶硅锭。后者因相对成本低而更具竞争力，但也因其结晶缺陷形成更难于控制而在技术上更具有挑战性。本文主要针对硅晶体的...
- 吴小元
- 关键词：晶体硅分子动力学
- 背接触异质结(HBC)太阳电池背面n/p区图形对位偏差影响的模拟研究
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- 多晶硅锭中的位错与残余应力--计算模拟、实验与检测
- 共识1:位错运动增殖总是伴随屈服变形和应力释放 反过来说位错运动增殖是晶体屈服变形、释放应力的微观机制.共识2:启动位错增殖所需最小应力(屈服应力)随温度提高急剧下降 共识3:固态增殖是硅锭位错主要来源 －生长前沿附近－...
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- 硅晶体生长及缺陷形成机制的分子动力学模拟研究
- 1.应变硅晶体生长过程中缺陷形成 分子动力学基本原理:基于经典力学求解每个原子在相空间的运动规律和轨迹,并在此基础上,研究该体系的结构和其他相关性质以及按照热力学和统计物理原理得出该体系相应的宏观物理特性.
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- 一种立式HWCVD设备载板
- 本实用新型涉及一种立式HWCVD设备载板，所述载板包括载板条，单排放1‑20片硅片，所述载板条上每块放硅片区域四周三个方向设置有硅片限位结构，防止载板和硅片竖直放置时硅片掉落。本实用新型通过将硅片从没有硅片限位结构一侧插...
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- 一种双面镀膜HWCVD设备的镀膜腔体
- 本实用新型涉及一种双面镀膜HWCVD设备的镀膜腔体，包括第一腔体和第二腔体两种热丝排组与载板相对位置不同的腔体组成。第一腔体和第二腔体内有载板直线传输设置，各自有驱动组件保证载板可在两种腔体之间运动。第一腔体的内部设置有...
- 孟虹辰吴小元周浪
