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杨军伟

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 2篇等效
  • 2篇等效模型
  • 2篇电学参数
  • 2篇动态法
  • 2篇时间常数
  • 2篇热学
  • 2篇自热效应
  • 2篇温度
  • 2篇漏极
  • 2篇漏极电流
  • 2篇俘获
  • 1篇优化设计
  • 1篇数据处理
  • 1篇热阻
  • 1篇温度系数
  • 1篇温升
  • 1篇测量温度

机构

  • 5篇北京工业大学

作者

  • 5篇杨军伟
  • 4篇史冬
  • 4篇冯士维
  • 2篇张亚民
  • 2篇郑翔
  • 1篇柴伟

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
半导体器件热阻测量结构函数法优化及数据处理技术研究
功率半导体器件与集成电路在微波通信、电力电子、军事国防等领域应用越来越广泛。但器件工作过程中电流密度的增大将导致有源区工作温升越来越高，热阻也越来越大，这严重影响器件的电学特性和可靠性。所以，研究一种精确测量半导体器件工...
杨军伟
关键词：半导体器件热阻优化设计数据处理
一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法
一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完...
冯士维郑翔张亚民杨军伟史冬石帮兵
文献传递
一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置
一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述方法包括：快速拉升半导体器件环境温度，并随时间快速线性上升。同时采集线性升高的环境温度和器件温敏参数值随时间变化。当测量温...
冯士维史冬杨军伟
文献传递
一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置
一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述方法包括：快速拉升半导体器件环境温度，并随时间快速线性上升。同时采集线性升高的环境温度和器件温敏参数值随时间变化。当测量温...
冯士维史冬杨军伟柴伟
一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法
一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完...
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