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一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路: 本发明提供一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路，包括启动模块用于启动电流产生模块，当电流产生模块开始工作后，启动模块退出工作；电流产生模块产生一个与绝对温度成正比的电流；基准电压产生模块由与绝对温度成正比的电流结合具...; 姜宇郭桂良阎跃鹏; 文献传递

一种应用于角度传感器的Sigma Delta ADC设计被引量：3: 2019年; 采用XH0180.35μmCMOS工艺设计了一种应用于磁阻角度传感器的SigmaDelta调制器.由于实际运放的增益都是有限的,使得开关电容积分器的信号传输函数的极点发生偏移,进而影响ADC精度,本文采用有限增益补偿技术减小运放增益对开关电容积分器的影响.该调制器采用两阶1bit全反馈结构,信号带宽12KHz,采样频率6.25MHz.后仿结果表明,在2.5V电源电压下,调制器的整体功耗为4mW.核心电路版图尺寸为0.45mm×0.3mm.在-40℃~150℃,各个工艺角的ENOB≥16.5bit.FOM=165.; 周志兴来强涛姜宇郭江飞王成龙陈腾郭桂良; 关键词：角度传感器 SIGMA DELTA MODULATOR GAIN

1.3～2.2GHz低噪声低功耗CMOS LC VCO的设计被引量：2: 2015年; 基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,设计并实现了一个宽带低功耗低相位噪声的高性能压控振荡器(VCO).为实现1.3~2.2GHz调谐范围,VCO采用7-bit(128根调谐曲线)固定电容阵列,同时也获得了超低的增益,降低了相位噪声.为弱化宽调谐范围带来的增益波动,VCO采用3-bit可变电容阵列来提升低带曲线的斜率,以期与高带一致.为实现每根曲线的宽线性范围,可变电容采用分布式偏置电压技术.为降低相位噪声,还提出了一种输出零偏置架构以及电流源噪声滤除技术.测试结果表明,调谐电压的线性范围为0.2~1.6V;VCO输出频率范围为1.3~2.17GHz;高带调谐曲线叠合超过50%,低带超过80%;VCO增益仅为19 MHz/V;增益波动范围为13~25 MHz/V.当振荡频率为1 312 MHz,1 MHz频偏处相位噪声为-116.53dBc/Hz;当振荡频率为2 152MHz,1 MHz频偏处相噪为-112.78dBc/Hz.VCO功耗电流为1.2~3.2mA,电源电压为1.8V.提出的VCO既能提供51%的频率覆盖,又能实现低相位噪声,已经被成功应用于工业自动化无线传感网(WIA)射频收发机芯片中.; 陈华郭桂良张玉琳姜宇韩荆宇阎跃鹏; 关键词：低相位噪声低功耗压控振荡器频率综合器

一种低压高性能的Rail-to-Rail运算放大器被引量：5: 2017年; 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一种低压恒跨导、高性能的Rail-to-Rail运算放大器.输入级采用NMOS和PMOS并联的互补差分对结构,使共模输入电压范围达到Rail-to-Rail,并通过改进的开关电流结构使输入级的有效跨导在共模输入范围内保持恒定.输出级采用反馈式AB类结构,以达到输出电压的全摆幅,同时通过米勒补偿控制零极点来保证放大器工作的稳定性.整个电路在1V的单电源电压,20pF负载电容的工作条件下工作,Spectre仿真结果显示,直流开环增益为127dB,单位增益带宽为6.4 MHz,相位裕度67.58°,总谐波失真为-107dB.; 王丹姜宇郭桂良吕英杰; 关键词：恒跨导 RAIL-TO-RAIL 运算放大器

用于带隙基准的宽范围稳压电路: 本公开提供了一种用于带隙基准的宽范围稳压电路，包括：带隙基准模块、偏置电压产生模块和电流负反馈模块；偏置电压产生模块与带隙基准模块相连，用于向带隙基准模块输出偏置电压；所述偏置电压产生模块包括：第一威尔逊电流镜电路和第二...; 来强涛周志兴郭桂良韩荆宇姜宇刘生有郭江飞; 文献传递

一种使用自动增益控制的接收机装置及方法: 本发明提供了一种使用自动增益来控制接收机的方法，该方法包括以下步骤：a)接收无线信号，并处理形成系统带宽内的有效信号；b）检测所接收信号的强度；c）比较所述接收信号强度与目标信号功率；d）分别控制射频自动增益放大器和基带...; 杨涛阎跃鹏姜宇郭桂良; 文献传递

SRAM存储单元电路: 本发明提供一种SRAM存储单元电路，包括写入单元电路和读取单元电路，写入单元电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，读取单元电路包括第三NMOS管和第四NMOS管；第一PMOS管的栅极与写...; 郭桂良赵佳宁郭江飞刘生有韩荆宇姜宇来强涛; 文献传递

高线性度的电压自举开关: 本公开提供了一种高线性度的电压自举开关，包括：电压自举开关电路和电荷补偿电路；其中电荷补偿电路包括：第三PMOS管，第十一NMOS管，第十二NMOS管，第十三NMOS管，第四电容，第五电容，第六电容。本公开在第一NMOS...; 郭桂良王成龙来强涛郭江飞刘生有韩荆宇姜宇; 文献传递

用于带隙基准的宽范围稳压电路: 本公开提供了一种用于带隙基准的宽范围稳压电路，包括：带隙基准模块、偏置电压产生模块和电流负反馈模块；偏置电压产生模块与带隙基准模块相连，用于向带隙基准模块输出偏置电压；所述偏置电压产生模块包括：第一威尔逊电流镜电路和第二...; 来强涛周志兴郭桂良韩荆宇姜宇刘生有郭江飞; 文献传递

一种高电源抑制比带隙基准源被引量：10: 2019年; 介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃～150℃温度范围、3.5 V～6 V的电源电压范围内,该带隙基准的温度系数为15 ppm/℃.带隙基准源的电源抑制比在直流处和1 kHz处分别为-125 dB、-106 dB.; 周志兴来强涛姜宇郭江飞王成龙陈腾郭桂良; 关键词：带隙基准源电源抑制比稳压电路

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姜宇