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一种应用于角度传感器的Sigma Delta ADC设计被引量：3: 2019年; 采用XH0180.35μmCMOS工艺设计了一种应用于磁阻角度传感器的SigmaDelta调制器.由于实际运放的增益都是有限的,使得开关电容积分器的信号传输函数的极点发生偏移,进而影响ADC精度,本文采用有限增益补偿技术减小运放增益对开关电容积分器的影响.该调制器采用两阶1bit全反馈结构,信号带宽12KHz,采样频率6.25MHz.后仿结果表明,在2.5V电源电压下,调制器的整体功耗为4mW.核心电路版图尺寸为0.45mm×0.3mm.在-40℃~150℃,各个工艺角的ENOB≥16.5bit.FOM=165.; 周志兴来强涛姜宇郭江飞王成龙陈腾郭桂良; 关键词：角度传感器 SIGMA DELTA MODULATOR GAIN

应用于MEMS谐振器的跨阻放大器设计及实现被引量：2: 2016年; 基于微机械系统（MEMS）圆盘谐振器工作时阻抗大、振荡频率高以及寄生电容大的特点,设计实现了一款用于驱动MEMS圆盘谐振器的宽带高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。该放大器引入低功耗宽带电流预放大和电流电压转换级输入技术,实现了宽带低功耗下低噪声性能。并结合改进型Cherry-Hooper反相器电压放大的电路结构以获得高增益带宽积,采用4～16译码控制电流、电压偏置技术,提高调试通过率及成品率。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺流片后,测试结果表明,跨阻增益高达73 d BΩ,-3 d B带宽为163 MHz,功耗为21.6 m W,等效输入噪声电流谱密度为14 p A/Hz,芯片面积为1 538μm×680μm。; 谢勇来强涛陈华郭江飞郭桂良阎跃鹏; 关键词：跨阻放大器 CMOS工艺

用于带隙基准的宽范围稳压电路: 本公开提供了一种用于带隙基准的宽范围稳压电路，包括：带隙基准模块、偏置电压产生模块和电流负反馈模块；偏置电压产生模块与带隙基准模块相连，用于向带隙基准模块输出偏置电压；所述偏置电压产生模块包括：第一威尔逊电流镜电路和第二...; 来强涛周志兴郭桂良韩荆宇姜宇刘生有郭江飞; 文献传递

基于正交误差对准的MEMS陀螺测控电路设计被引量：1: 2017年; 传统MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)陀螺的相干检测基于驱动位移和科氏位移的相位关系,依赖于陀螺的工作模式,解调载波相位抖动大,不易相位对准.为解决此问题,本文提出了一种基于正交误差对准的不依赖陀螺工作模式的相干解调系统.解调载波取自驱动电路的PLL(Phase-Locked Loop)输出,相位抖动小,仅作载波使用,不代表驱动位移信息.检测通路插入移相器,使正交误差相位滞后解调载波90°,则科氏位移信号与解调载波同相,完成检测.为验证该方法,本文研究了陀螺器件与接口电路之间的信号传递特性并进行建模,设计了锁相环、C/V(Capacitance/Voltage)转换、移相器等核心电路,实现了一款完整的MEMS陀螺测控电路.测试结果表明:陀螺驱动正常,检测正确,刻度因数为1.415mV/(°.s),零偏不稳定度为108°/h.结果验证了该检测方法的有效性,并为后续进一步提升性能提供了基础.该检测方法也适用于其他振动式MEMS陀螺的测控系统.; 陈华来强涛来强涛郭桂良郭江飞; 关键词：相干检测陀螺 MEMS传感器

用于带隙基准的宽范围稳压电路: 本公开提供了一种用于带隙基准的宽范围稳压电路，包括：带隙基准模块、偏置电压产生模块和电流负反馈模块；偏置电压产生模块与带隙基准模块相连，用于向带隙基准模块输出偏置电压；所述偏置电压产生模块包括：第一威尔逊电流镜电路和第二...; 来强涛周志兴郭桂良韩荆宇姜宇刘生有郭江飞; 文献传递

MEMS陀螺仪的闭环锁相驱动电路: 一种MEMS陀螺仪的闭环锁相驱动电路，包括：MEMS陀螺敏感器件(101)、跨阻放大器(102)、反相放大器(103)、低通滤波器(104)和电阻分压器，其中，所述MEMS陀螺敏感器件(101)包括检测端和静电驱动端，所...; 陈华来强涛郭桂良韩荆宇郭江飞阎跃鹏; 文献传递

一种高电源抑制比带隙基准源被引量：10: 2019年; 介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃～150℃温度范围、3.5 V～6 V的电源电压范围内,该带隙基准的温度系数为15 ppm/℃.带隙基准源的电源抑制比在直流处和1 kHz处分别为-125 dB、-106 dB.; 周志兴来强涛姜宇郭江飞王成龙陈腾郭桂良; 关键词：带隙基准源电源抑制比稳压电路

SRAM存储单元电路: 本发明提供一种SRAM存储单元电路，包括写入单元电路和读取单元电路，写入单元电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，读取单元电路包括第三NMOS管和第四NMOS管；第一PMOS管的栅极与写...; 郭桂良赵佳宁郭江飞刘生有韩荆宇姜宇来强涛; 文献传递

高线性度的电压自举开关: 本公开提供了一种高线性度的电压自举开关，包括：电压自举开关电路和电荷补偿电路；其中电荷补偿电路包括：第三PMOS管，第十一NMOS管，第十二NMOS管，第十三NMOS管，第四电容，第五电容，第六电容。本公开在第一NMOS...; 郭桂良王成龙来强涛郭江飞刘生有韩荆宇姜宇; 文献传递

一种应用于LDO的宽范围稳压电路被引量：3: 2019年; 在LDO的设计中,为了提高输入电源电压上限,一般采用大尺寸的晶体管,但这样会增加电路的面积。为了解决这个问题,采用改进的威尔逊电流镜结构设计了一种宽范围稳压电路,为LDO各个子模块提供电源和偏置。仿真结果表明,稳压电路可以将3.5 V～6 V外部供电电源电压转换为1.8 V内部电压,使得LDO核心电路在高输入电源电压下依然可以使用0.18μm的MOS管,降低了芯片面积,并且可以给LDO模拟模块的设计带来便利。; 周志兴来强涛郭桂良姜宇郭江飞王成龙; 关键词：LDO 线性稳压器

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郭江飞