刘生有
- 作品数：10 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SRAM存储单元电路
- 本发明提供一种SRAM存储单元电路，包括写入单元电路和读取单元电路，写入单元电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，读取单元电路包括第三NMOS管和第四NMOS管；第一PMOS管的栅极与写...
- 郭桂良赵佳宁郭江飞刘生有韩荆宇姜宇来强涛
- 文献传递
- 高线性度的电压自举开关
- 本公开提供了一种高线性度的电压自举开关，包括：电压自举开关电路和电荷补偿电路；其中电荷补偿电路包括：第三PMOS管，第十一NMOS管，第十二NMOS管，第十三NMOS管，第四电容，第五电容，第六电容。本公开在第一NMOS...
- 郭桂良王成龙来强涛郭江飞刘生有韩荆宇姜宇
- 文献传递
- 用于带隙基准的宽范围稳压电路
- 本公开提供了一种用于带隙基准的宽范围稳压电路，包括：带隙基准模块、偏置电压产生模块和电流负反馈模块；偏置电压产生模块与带隙基准模块相连，用于向带隙基准模块输出偏置电压；所述偏置电压产生模块包括：第一威尔逊电流镜电路和第二...
- 来强涛周志兴郭桂良韩荆宇姜宇刘生有郭江飞
- 文献传递
- 一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计被引量：5
- 2017年
- 提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LDO(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC 0.18μm CMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载电流可以达到80mA,当负载电流在0~80mA范围内变化时,开环相位裕度均大于64°,证明了低压差线性稳压器的高稳定性.当负载电流从0mA跳变到80mA时,系统的输出电压过冲仅为15mV,环路响应时间仅为0.5μs.当负载电流为80mA,测得10kHz时的电源纹波抑制比为-60.82dB,100kHz时LDO的电源纹波抑制比为-57.66dB.
- 张龙来强涛刘生有郭桂良戴宇杰
- 关键词：线性稳压器片上系统
- 用于带隙基准的宽范围稳压电路
- 本公开提供了一种用于带隙基准的宽范围稳压电路，包括：带隙基准模块、偏置电压产生模块和电流负反馈模块；偏置电压产生模块与带隙基准模块相连，用于向带隙基准模块输出偏置电压；所述偏置电压产生模块包括：第一威尔逊电流镜电路和第二...
- 来强涛周志兴郭桂良韩荆宇姜宇刘生有郭江飞
- 文献传递
- 一种模拟控制VGA与数字控制VGA的转换电路
- 本发明提供了一种模拟控制VGA与数字控制VGA的转换电路，包括：分压偏置单元、比较单元以及驱动单元，通过分压偏置单元为比较单元中各个比较器的反相输入端提供参考电压Vrefn，比较单元通过控制电压Vctr与参考电压Vref...
- 刘生有郭桂良阎跃鹏
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- 自动消除陀螺仪正交误差的电路
- 一种自动消除陀螺仪正交误差的电路，包括：电容‑电压转换电路(2)，其输入端和MEMS陀螺器件(1)的信号检测端连接；信号放大电路(3)，其输入端和电容‑电压转换电路(2)的输出端连接；自动增益控制电路(4)，其输入端一路...
- 陈华来强涛郭桂良刘生有姜宇
- 文献传递
- 低增益变化宽线性范围低噪声压控振荡器设计被引量：1
- 2014年
- 应用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一款低调谐增益变化,恒定调谐曲线间隔,恒定输出摆幅的低功耗低噪声宽带压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).本振荡器的振荡频率覆盖1.153~1.911GHz(49.5%)范围,相邻调谐曲线的覆盖范围大于50%,调谐增益变化范围为45.5~52.7MHz/V(13.7%),相邻调谐曲线间距变化范围为43.2~45.9MHz(5.9%),VCO输出波形的峰峰值为694~715mV(3%),调谐曲线的线性范围为0.2~1.6V(1.4V).在1.8V的电源电压下,VCO在中心频率1.53GHz处耗电电流为3.2mA,相位噪声在1MHz频偏处为-130.5dBc/Hz,FOM值为-186.5dBc/Hz.
- 郑金汪陈华倪侃郭桂良张润曦刘生有来强涛阎跃鹏
- 关键词：频率综合器压控振荡器低相位噪声
- 高稳定性无片外电容低压差线性稳压器的设计被引量：4
- 2011年
- 设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中。针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性。电路采用SMIC0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV。
- 刘生有马骁杜占坤郭桂良阎跃鹏
- 关键词：无片外电容低压差稳压器密勒补偿高稳定性
- 一种利用门电路实现可靠启动的基准电流源被引量：1
- 2014年
- 为了解决电流和模式的基准电路的潜在启动失败问题以及使电路更加低功耗、低复杂度、高稳定性,提出了一种利用数字门电路实现可靠启动的CMOS带隙基准电流源。Spectre仿真表明,在1.8 V电源电压下,功耗为180μW,电路输出20μA参考电流,温度系数为11.9 ppm,线性度为1 054 ppm/V,输出噪声电压为0.1 mV,电源抑制比为-42 dB。采用TSMC0.18μm CMOS工艺流片。测试结果表明,电路能在15.4μs内实现可靠启动,输出参考电压稳定在1.28 V,其温度系数为89 ppm。该基准电流源已经成功地应用于工业自动化无线传感网(WIA)节点芯片的频率综合器中,并取得良好的应用效果。
- 陈华郭桂良罗超刘生有来强涛阎跃鹏
- 关键词：频率综合器带隙基准电路启动电路
