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何晨光

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇ALN
  • 2篇体质量
  • 2篇外延层
  • 2篇成核
  • 1篇多层结构
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌控制
  • 1篇退火
  • 1篇外延层生长
  • 1篇位错
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇烘烤
  • 1篇氨气
  • 1篇大倾角

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇沈波
  • 3篇许福军
  • 3篇杨志坚
  • 3篇秦志新
  • 3篇张立胜
  • 3篇何晨光
  • 3篇王嘉铭

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应...
许福军沈波秦志新王嘉铭张立胜何晨光杨志坚
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一种AlN外延薄膜生长方法
本发明公开了一种AlN外延薄膜生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、衬底烘烤；S2、低温沉积AlN，形成成核层；S3、升温退火；S4、以高氨气和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)生长AlN；S5、以低V/III比生长...
许福军沈波秦志新王嘉铭张立胜何晨光杨志坚
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一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应...
许福军沈波秦志新王嘉铭张立胜何晨光杨志坚
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