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陈谷然

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 2篇中间线
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅基
  • 2篇器件芯片
  • 2篇微加工
  • 2篇线宽
  • 2篇芯片
  • 2篇划片
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇硅基
  • 2篇封装
  • 1篇导电类型
  • 1篇鹰嘴
  • 1篇源区
  • 1篇图形分辨率
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准工艺
  • 1篇显影液

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇陈谷然
  • 3篇任春江
  • 3篇陈堂胜
  • 2篇柏松
  • 2篇刘昊
  • 2篇黄润华
  • 1篇王雯

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种多颗芯片同时制备封装使用的方法
本发明公开了一种多颗芯片同时制备封装使用的方法，该方法包括：器件芯片所在圆片布局设计优化；器件芯片具体结构设计优化；原有微加工工艺流程和难度不变；器件划片和封装使用过程简化，器件总制备成本降低。本发明通过设计优化，减小器...
陈允峰李士颜刘昊陈谷然黄润华柏松
文献传递
一种半导体基板光刻工艺
本发明公开了一种半导体基板光刻工艺，通过在半导体基板上涂覆单层正性光刻胶层，进行曝光、显影，之后涂覆具有水溶性的抗反射涂层，再进行烘焙处理使得光刻胶层回流，最后利用水溶液去除水溶性的抗反射涂层得到了具有缩小线宽的光刻胶型...
陈谷然任春江陈堂胜
文献传递
一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法
本发明提出了一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，包括如下步骤：1）在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2；2）对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂；3）对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理；4）对光刻胶层2进行...
陈谷然王雯任春江陈堂胜
文献传递
一种半导体基板光刻工艺
本发明公开了一种半导体基板光刻工艺，通过在半导体基板上涂覆单层正性光刻胶层，进行曝光、显影，之后涂覆具有水溶性的抗反射涂层，再进行烘焙处理使得光刻胶层回流，最后利用水溶液去除水溶性的抗反射涂层得到了具有缩小线宽的光刻胶型...
陈谷然任春江陈堂胜
一种多颗芯片同时制备封装使用的方法
本发明公开了一种多颗芯片同时制备封装使用的方法，该方法包括：器件芯片所在圆片布局设计优化；器件芯片具体结构设计优化；原有微加工工艺流程和难度不变；器件划片和封装使用过程简化，器件总制备成本降低。本发明通过设计优化，减小器...
陈允峰李士颜刘昊陈谷然黄润华柏松
改进型碳化硅MOSFET及其制造方法
本发明公开了一种改进型碳化硅MOSFET及其制造方法，方法中，于第一导电类型电流扩展区表面形成第一自对准掩膜层，通过第一自对准掩膜层形成第二导电类型掩蔽区；于第一导电类型电流扩展区表面形成第二自对准掩膜层，通过第二自对准...
张跃陈谷然李士颜柏松黄润华杨勇
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