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张红艳
作品数:
4
被引量:5
H指数:1
供职机构:
华南师范大学
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发文基金:
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
宿世臣
华南师范大学光电子材料与技术研...
赵灵智
华南师范大学光电子材料与技术研...
何苗
华南师范大学
王佳
华南师范大学光电子材料与技术研...
裴磊磊
华南师范大学光电子材料与技术研...
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异质结器件
机构
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华南师范大学
作者
4篇
张红艳
3篇
赵灵智
3篇
宿世臣
2篇
何苗
1篇
裴磊磊
1篇
王佳
传媒
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发光学报
年份
1篇
2017
1篇
2016
1篇
2015
1篇
2014
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一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件
本发明公开了一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件,所述ZnO量子阱微腔结构以介质膜为分布布拉格反射镜结构下层,以ZnO/ZnMgO量子阱为有源层,以氮化物为分布布拉格反射镜结构上层。本发明实现了在室温条件下的超...
宿世臣
张红艳
赵灵智
何苗
文献传递
高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究(英文)
被引量:5
2016年
利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices(APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性。与InGaN/GaN基LED中GaN作为垒层材料相比,在AlInGaN材料体系中,通过调节AlInGaN中Al和In的组分可以优化器件的性能。当InGaN阱层材料中In组分为8%时,可以实现无应力的In0.08Ga0.92N/AlInGaN基LED。在这种无应力结构中可以进一步降低大功率LED的"效率下降"(Effciency droop)问题。理论模拟结果显示,四元系AlInGaN作为垒层可以进一步减少载流子泄露,增加空穴注入效率,减少极化场对器件性能的影响。在In0.08Ga0.92N/AlInGaN量子阱中的载流子浓度、有源层的辐射复合率、电流特性曲线和内量子效率等方面都优于InGaN/GaN基LED。无应变AlInGaN垒层代替传统的GaN垒层后,能够得到高效的发光二极管,并且大电流注入下的"效率滚降"问题得到改善。
宿世臣
裴磊磊
张红艳
王佳
赵灵智
关键词:
氮化镓
发光二极管
一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件
本发明公开了一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件,所述ZnO量子阱微腔结构以介质膜为分布布拉格反射镜结构下层,以ZnO/ZnMgO量子阱为有源层,以氮化物为分布布拉格反射镜结构上层。本发明实现了在室温条件下的超...
宿世臣
张红艳
赵灵智
何苗
GaN基异质结器件的制备及特性研究
GaN是一种很优异的半导体材料,但是在长GaN材料和制备器件,以及材料的性质等很多方面遇到了很多难以克服的问题。近年来有关GaN的异质结LED受到了很多的关注,目前有大量的关于GaN与ZnO,GaN与SnO2等宽带半导体...
张红艳
关键词:
氮化镓
异质结器件
脉冲激光沉积
氧化锌纳米线
电致发光
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