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一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件: 本发明公开了一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，所述ZnO量子阱微腔结构以介质膜为分布布拉格反射镜结构下层，以ZnO/ZnMgO量子阱为有源层，以氮化物为分布布拉格反射镜结构上层。本发明实现了在室温条件下的超...; 宿世臣张红艳赵灵智何苗; 文献传递

高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究（英文）被引量：5: 2016年; 利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices(APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性。与InGaN/GaN基LED中GaN作为垒层材料相比,在AlInGaN材料体系中,通过调节AlInGaN中Al和In的组分可以优化器件的性能。当InGaN阱层材料中In组分为8%时,可以实现无应力的In0.08Ga0.92N/AlInGaN基LED。在这种无应力结构中可以进一步降低大功率LED的"效率下降"(Effciency droop)问题。理论模拟结果显示,四元系AlInGaN作为垒层可以进一步减少载流子泄露,增加空穴注入效率,减少极化场对器件性能的影响。在In0.08Ga0.92N/AlInGaN量子阱中的载流子浓度、有源层的辐射复合率、电流特性曲线和内量子效率等方面都优于InGaN/GaN基LED。无应变AlInGaN垒层代替传统的GaN垒层后,能够得到高效的发光二极管,并且大电流注入下的"效率滚降"问题得到改善。; 宿世臣裴磊磊张红艳王佳赵灵智; 关键词：氮化镓发光二极管

一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件: 本发明公开了一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，所述ZnO量子阱微腔结构以介质膜为分布布拉格反射镜结构下层，以ZnO/ZnMgO量子阱为有源层，以氮化物为分布布拉格反射镜结构上层。本发明实现了在室温条件下的超...; 宿世臣张红艳赵灵智何苗

GaN基异质结器件的制备及特性研究: GaN是一种很优异的半导体材料，但是在长GaN材料和制备器件，以及材料的性质等很多方面遇到了很多难以克服的问题。近年来有关GaN的异质结LED受到了很多的关注，目前有大量的关于GaN与ZnO，GaN与SnO2等宽带半导体...; 张红艳; 关键词：氮化镓异质结器件脉冲激光沉积氧化锌纳米线电致发光

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张红艳