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高质量立方相ZnMgO的制备与紫外受激发射特性研究（英文）: 2017年; 利用脉冲激光沉积(PLD)设备在蓝宝石衬底上制备了高质量Zn_(1-x)Mg_xO单晶薄膜,并对其结构和光学特性进行了深入细致的研究。通过能量衍射谱(EDS)确认Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的Mg组分为45%。在Zn0.55Mg0.45O薄膜的X射线衍射谱(XRD)中观测到了明显的位于36.67°的衍射峰,对应的是(111)晶向的立方相ZnMgO。从透射光谱中可以看出,Zn0.55Mg0.45O具有陡峭的吸收边,没有发生相分离,在透射电镜图谱中也得到了证实。该ZnMgO薄膜还表现出了优异的光学特性,在Zn0.55Mg0.45O材料体系中实现了峰位位于310 nm的紫外光泵浦受激发射,其激光发射的阈值仅为22 k W/cm2。; 张晗裴磊磊宿世臣; 关键词：脉冲激光沉积阈值

高质量ZnMgO合金在紫外光电器件中的应用: ZnO作为一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，与其合金材料ZnMgO成为继GaN材料后最受到关注的理想紫外光电材料，ZnO的禁带宽度高达3.37eV，当掺入Mg元素后，通过能带结构的人工剪裁，带隙可在3.3-7.8V可调，拥有...; 裴磊磊

高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究（英文）被引量：5: 2016年; 利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices(APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性。与InGaN/GaN基LED中GaN作为垒层材料相比,在AlInGaN材料体系中,通过调节AlInGaN中Al和In的组分可以优化器件的性能。当InGaN阱层材料中In组分为8%时,可以实现无应力的In0.08Ga0.92N/AlInGaN基LED。在这种无应力结构中可以进一步降低大功率LED的"效率下降"(Effciency droop)问题。理论模拟结果显示,四元系AlInGaN作为垒层可以进一步减少载流子泄露,增加空穴注入效率,减少极化场对器件性能的影响。在In0.08Ga0.92N/AlInGaN量子阱中的载流子浓度、有源层的辐射复合率、电流特性曲线和内量子效率等方面都优于InGaN/GaN基LED。无应变AlInGaN垒层代替传统的GaN垒层后,能够得到高效的发光二极管,并且大电流注入下的"效率滚降"问题得到改善。; 宿世臣裴磊磊张红艳王佳赵灵智; 关键词：氮化镓发光二极管

一种废旧锂离子电池中LiFePO4正极的回收方法: 本发明公开了一种废旧锂离子电池中LiFePO4正极的回收方法，其特征在于，将LiFePO4正极物理粉碎后溶于DMF溶液中，通过多次重复搅拌、过滤步骤后对过滤得到的黑色混合物进行...; 宿世臣裴磊磊赵灵智; 文献传递

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裴磊磊