裴磊磊 作品数:4 被引量:5 H指数:1 供职机构: 华南师范大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 中国博士后科学基金 国家教育部博士点基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
高质量立方相ZnMgO的制备与紫外受激发射特性研究(英文) 2017年 利用脉冲激光沉积(PLD)设备在蓝宝石衬底上制备了高质量Zn_(1-x)Mg_xO单晶薄膜,并对其结构和光学特性进行了深入细致的研究。通过能量衍射谱(EDS)确认Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的Mg组分为45%。在Zn0.55Mg0.45O薄膜的X射线衍射谱(XRD)中观测到了明显的位于36.67°的衍射峰,对应的是(111)晶向的立方相ZnMgO。从透射光谱中可以看出,Zn0.55Mg0.45O具有陡峭的吸收边,没有发生相分离,在透射电镜图谱中也得到了证实。该ZnMgO薄膜还表现出了优异的光学特性,在Zn0.55Mg0.45O材料体系中实现了峰位位于310 nm的紫外光泵浦受激发射,其激光发射的阈值仅为22 k W/cm2。 张晗 裴磊磊 宿世臣关键词:脉冲激光沉积 阈值 高质量ZnMgO合金在紫外光电器件中的应用 ZnO作为一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,与其合金材料ZnMgO成为继GaN材料后最受到关注的理想紫外光电材料,ZnO的禁带宽度高达3.37eV,当掺入Mg元素后,通过能带结构的人工剪裁,带隙可在3.3-7.8V可调,拥有... 裴磊磊高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究(英文) 被引量:5 2016年 利用Advanced Physical Models of Semiconductor Devices(APSYS)理论对比研究了InGaN/AlInGaN和InGaN/GaN多量子阱作为有源层的InGaN基发光二极管的结构和电学特性。与InGaN/GaN基LED中GaN作为垒层材料相比,在AlInGaN材料体系中,通过调节AlInGaN中Al和In的组分可以优化器件的性能。当InGaN阱层材料中In组分为8%时,可以实现无应力的In0.08Ga0.92N/AlInGaN基LED。在这种无应力结构中可以进一步降低大功率LED的"效率下降"(Effciency droop)问题。理论模拟结果显示,四元系AlInGaN作为垒层可以进一步减少载流子泄露,增加空穴注入效率,减少极化场对器件性能的影响。在In0.08Ga0.92N/AlInGaN量子阱中的载流子浓度、有源层的辐射复合率、电流特性曲线和内量子效率等方面都优于InGaN/GaN基LED。无应变AlInGaN垒层代替传统的GaN垒层后,能够得到高效的发光二极管,并且大电流注入下的"效率滚降"问题得到改善。 宿世臣 裴磊磊 张红艳 王佳 赵灵智关键词:氮化镓 发光二极管 一种废旧锂离子电池中LiFePO<Sub>4</Sub>正极的回收方法 本发明公开了一种废旧锂离子电池中LiFePO<Sub>4</Sub>正极的回收方法,其特征在于,将LiFePO<Sub>4</Sub>正极物理粉碎后溶于DMF溶液中,通过多次重复搅拌、过滤步骤后对过滤得到的黑色混合物进行... 宿世臣 裴磊磊 赵灵智文献传递