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贾志刚

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：北京邮电大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇晶格
  • 4篇缓冲层
  • 4篇半导体
  • 4篇GAAS
  • 3篇纳米
  • 2篇导体
  • 2篇应变量子阱
  • 2篇图形衬底
  • 2篇自组织
  • 2篇外延层
  • 2篇微米
  • 2篇微米管
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇纳米管
  • 2篇晶格常数
  • 2篇晶格失配
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇间隔层

机构

  • 9篇北京邮电大学

作者

  • 9篇贾志刚
  • 8篇王琦
  • 8篇黄永清
  • 8篇任晓敏
  • 4篇闫映策
  • 4篇蔡世伟
  • 4篇郭欣
  • 2篇边志强
  • 2篇王二洋
  • 2篇李伯昌

年份

  • 2篇2016
  • 5篇2014
  • 2篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法
本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1m...
王琦王二洋李伯昌任晓敏贾志刚闫映策蔡世伟黄永清
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一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法
本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间...
王琦边志强任晓敏贾志刚闫映策蔡世伟黄永清
文献传递
GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法
本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子...
王琦贾志刚郭欣任晓敏黄永清
文献传递
一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法
本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间...
王琦边志强任晓敏贾志刚闫映策蔡世伟黄永清
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GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器
本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱...
王琦贾志刚郭欣任晓敏黄永清
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异质兼容集成微系统的实现途径与技术的研究
近十几年来，信息产业突飞猛进，现代光通信网面临着空前的挑战。光纤通信网的数据处理与收发模块中包含了大量的光电子器件，所以光电子器件直接影响着光纤通信网络的综合性能。为了提高现代光纤通信网络的性能，人们将光电子器件集成到了...
贾志刚
关键词：光纤通信网
GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法
本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子...
王琦贾志刚郭欣任晓敏黄永清
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一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法
本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1m...
王琦王二洋李伯昌任晓敏贾志刚闫映策蔡世伟黄永清
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GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器
本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱...
王琦贾志刚郭欣任晓敏黄永清
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