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贡献

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇载流子
  • 2篇迁移
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇开关比

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇韩德栋
  • 2篇刘冬
  • 2篇康晋锋
  • 2篇贡献

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种氧化物薄膜、含有该薄膜的晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于...
康晋锋贡献喻韵璇刘冬刘晓彦韩德栋
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一种氧化物薄膜、含有该薄膜的晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于...
康晋锋贡献喻韵璇刘冬刘晓彦韩德栋
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