公共文化服务平台

共 5 条记录，以下是 1-5

全选清除导出

排序方式：

各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法: 一种GMR或TMR磁性纳米多层薄膜结构、磁敏传感器及制备方法，该磁性纳米多层薄膜结构依次包括基片和其上的缓冲层，参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层利用了铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性，通过调...; 余天王文秀韩秀峰; 文献传递

高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用研究: 2018年; 1 研究背景1924年,自旋电子学的发展始于1988年磁性纳米多层膜中巨磁电阻(GMR)效应的发现,GMR磁读头的出现使存储密度从AMR读头时期的~100 Mb/in2提高至~100 Gb/in2的量级;随后1995年日本及美国科学家利用AlOx势垒磁性隧道结将室温隧穿磁电阻(TMR)效应提高至~20%,达到了可实用化程度,并在2004年进一步将MgO势垒磁性隧道结的室温TMR比值提高至TMR^200%左右,大大促进了TMR器件的广泛开发和应用.迄今为止,计算机TMR磁读头使得磁硬盘(HDD)磁记录密度达到了~1000 Gb/in2的量级;每年产值300~400亿美元的磁硬盘(HDD)市场已持续发展了20年.GMR和TMR磁读头本身就是两种有相对高灵敏度和低噪声磁敏传感器,并且已经在计算机和各种磁传感工业、民用、航空航天等领域大规模成功应用了20年.; 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰; 关键词：隧穿磁电阻磁敏传感器磁性隧道结芯片

磁性隧道结: 本发明涉及尖晶石氧化物势垒的磁性隧道结及其器件应用，磁性隧道结的势垒采用尖晶石氧化物组成。该隧道结可以是单势垒或者双势垒的结构。本发明提供的新型势垒磁性隧道结可以应用于自旋电子器件中，包括磁敏传感器、磁性随机存取存储器单...; 吴昊张佳余天张晓光韩秀峰; 文献传递

各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法: 一种GMR或TMR磁性纳米多层薄膜结构、磁敏传感器及制备方法，该磁性纳米多层薄膜结构依次包括基片和其上的缓冲层，参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层利用了铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性，通过调...; 余天王文秀韩秀峰; 文献传递

高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用基础研究: 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰; 近年来，随着物联网、智能电网和人工智能的快速发展，国内传感器产业将迎来一个黄金时期。基于隧穿磁电阻(TMR)效应的新型磁敏传感器，由于其高性能、高可靠、低功耗和微型化等优点，在高端应用领域正逐步取代传统的低灵敏度磁性传感...; 关键词：; 关键词：磁敏传感器磁性纳米线芯片设计

全选清除导出

共1页<1>

余天