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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇机械工程
  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇扫描隧道显微...
  • 3篇
  • 2篇STM
  • 1篇原子

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇北京大学

作者

  • 4篇庞世瑾
  • 4篇薛增泉
  • 4篇杨海强
  • 3篇刘宁
  • 3篇高鸿钧
  • 1篇高聚宁

传媒

  • 3篇电子显微学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1999
  • 3篇1997
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
用电流扫描法在Si(111)-7×7表面上实现单原子操纵
1999年
本文提出用电流脉冲法在Si(111)-7×7表面进行单原子操纵,用恒电流扫描的方法在Si(111)-7×7表面形成纳米级沟槽结构.通过分析Si(111)-7×7表面的原子结构模型指出,当线扫描的方向平行于Si(111)-7×7表面的基矢方向,并且原子操纵后形成的沟槽的边界处于基矢方向上原子空位的连线时,所得到的沟槽才具有原子级平直的边界.这是在Si(111)-7×7表面可能得到的最稳定的人造原子级结构,并在实验中实现了这种结构.本文对原子操纵的机理也进行了分析.
杨海强高聚宁薛增泉庞世瑾
关键词:
STM研究Si(111)7×7表面畴界结构
1997年
根据对Si(111)表面各种不同畴界的研究,我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素:二聚体(dimer)和顶戴原子(adatom,亦称吸附原子)之间的相互作用;7×7单胞中层错半单元(faultedhalf)和非层错半单元(unfaultedhalf)的差异;亚稳态的(2n+1)×(2n+1)结构的影响。
刘宁杨海强古乾军马自力高鸿钧薛增泉庞世瑾
关键词:扫描隧道显微镜
用STM在Si(111)7×7表面进行“有序移植”
1997年
我们用STM在低压大电流条件下对Si(111)7×7表面进行了原子操纵研究,这种方法即可从表面提出原子而形成沟槽结构,又可将提出的原子重新植入样品表面形成一维凸起,在样品表面形成有序排列,从而成功地实现了对原子群体的“有序移植”
刘宁杨海强马自力高鸿钧薛增泉庞世瑾
关键词:扫描隧道显微镜
一种高效率的原子操纵方法被引量:1
1997年
我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下,通过提高隧道电流成功地在Si(111)7×7表面实现了原子操纵,这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是:当偏压小于0.5V时,化学相互作用成为针尖和样品之间的主要作用;而当偏压大于0.8V时,场蒸发的影响则成为一个关键因素。
刘宁杨海强马自力高鸿钧薛增泉庞世瑾
关键词:扫描隧道显微镜
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