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曾勇平

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇氮化镓
  • 3篇电极
  • 3篇电学
  • 3篇电学特性
  • 3篇发光
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇导体
  • 2篇等离子体
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化铟锡
  • 2篇退火
  • 2篇扩散炉
  • 2篇环形电极
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇光学
  • 2篇轰击
  • 2篇发光器件
  • 2篇感应耦合

机构

  • 7篇厦门大学

作者

  • 7篇曾勇平
  • 6篇张保平
  • 5篇应磊莹
  • 4篇张江勇
  • 2篇龙浩

传媒

  • 1篇山东工业技术

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法
一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p-GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P-GaN薄膜上方沉...
张保平曾勇平张江勇应磊莹
ICP轰击下的In掺杂及GaN基LED外延材料和器件性能的研究
GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面;在照明领域，Ga...
曾勇平
关键词：氮化镓电学特性光学性能
一种氮化物半导体发光器件及其制备方法
一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭...
张保平曾勇平龙浩应磊莹张江勇
文献传递
一种氮化物半导体发光器件及其制备方法
一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭...
张保平曾勇平龙浩应磊莹张江勇
文献传递
利用ICP进行In掺杂对GaN基LED材料性能的影响
2015年
本文主要介绍一种新型的改善Ga N材料p型欧姆接触特性的方法,即采用电子束蒸发技术在In GaN层上沉积一层ITO薄膜,然后通过感应耦合等离子体技术(ICP)对ITO进行轰击。通过XPS测试分析可知,ICP轰击ITO过程中,ITO中的In原子扩散至p-Ga N层。通过在p-Ga N上方制作欧姆接触并进行I-V测试,结果表明In掺杂后样品p型欧姆接触特性得到改善。
曾勇平张保平应磊莹
双P型电极LED发光器件
N为主导的Ⅲ-N半导体发光二极管(LED)是目前半导体固态照明中最重要的器件.其具有发光效率高、禁带宽度可调、稳定性好等优势.目前的GaN基LED主要包括垂直结构及平面电极两种,但它们的制备过程都较复杂,工艺窗口敏感,包...
龙浩曾勇平张保平
关键词：发光二极管氮化镓发光效率
一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法
一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p‑GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P‑GaN薄膜上方沉...
张保平曾勇平张江勇应磊莹
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