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谢小龙

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇N-GAAS
  • 1篇电子学
  • 1篇氧含量
  • 1篇质谱
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇离子
  • 1篇快速热退火
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇二次离子质谱
  • 1篇发光
  • 1篇发光机理
  • 1篇SIMS分析
  • 1篇硅

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇陈维德
  • 3篇谢小龙
  • 2篇许振嘉
  • 2篇段俐宏
  • 1篇何杰
  • 1篇顾诠
  • 1篇马智训
  • 1篇梁建军
  • 1篇廖显伯
  • 1篇谢小龙
  • 1篇陈春华
  • 1篇陈春华
  • 1篇崔玉德

传媒

  • 3篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析被引量：1
1996年
采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X+和CsX+信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX+可以提供更准确的结果和成分信息。
陈维德陈春华谢小龙段俐宏
关键词：二次离子质谱欧姆接触砷化镓
掺铒硅光致发光的研究被引量：1
1999年
采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的很强的光致发光。研究了不同的氧含量、退火温度、测量温度和激发功率对掺铒硅光致发光强度的影响和规律 。
顾诠何杰陈维德许振嘉谢小龙谢小龙梁建军廖显伯
关键词：硅光致发光氧含量发光机理光电子学
利用快速热退火在n-GaAs上形成浅欧姆接触被引量：2
1997年
采用超高真空电子束蒸发设备和快速热退火工艺制备GaAs／Pd／AuGe／Ag／An多层结构和测量比接触电阻车所需的传输线模型。研究了比接触电阻率与退火温度和时间关系，400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻车约为10（－6）Ωem2。接触层表面光滑、界面平整。利用俄歇电子谱（AES）、二次离子质谱（SIMS）、X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究了欧姆接触的微观结构和形成机理。
陈维德谢小龙陈春华崔玉德段俐宏许振嘉
关键词：欧姆接触砷化镓热退火
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共1页<1>
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