陈晨
- 作品数：11 被引量：11H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 晶片的初始宏观形变对硅-硅直接键合的影响
- 2017年
- 采用建立了硅硅直接键合的简化模型,依据薄板理论分析了键合发生的条件以及原始晶片的曲率与键合后晶片曲率的关系;理论分析认为晶圆键合前有必要根据弯曲变形量来匹配键合晶圆,并通过试验进行了验证。
- 陈晨杨洪星
- 关键词：键合翘曲度
- 电子功能材料智能制造关键技术及标准体系研究进展被引量：1
- 2019年
- 电子功能材料在现代军事武器装备领域中扮演着重要角色,发展电子功能材料智能制造技术、满足电子功能材料制造业多品种、小批量、高质量且高效率的生产要求,对于推动电子功能材料产业供给侧结构性改革、提升我国武器装备的竞争优势具有重要作用。本文梳理了电子功能材料智能制造关键技术理论研究和实践发展现状,以及电子功能材料智能制造标准体系理论研究和实践发展现状,指出了国内在关键技术及标准体系方面取得的成就以及欠缺,对今后电子功能材料智能制造产业健康发展起到了引导作用。
- 陈晨吴华
- 关键词：电子功能材料
- 镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
- 2024年
- 由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。
- 张颖武边义午陈晨周春锋王云彪兰天平
- 关键词：锗单晶
- 环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响
- 2020年
- 由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性。通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易产生雾,且随着时间延长而逐渐增多,直至表面完全被覆盖。从反应机理分析了Ge单晶抛光片表面可能发生的化学反应。通过X射线光电子能谱(XPS)验证了Ge单晶抛光片表面的价态发生了变化,发现Ge单晶抛光片表面发生了氧化反应。从环境因素入手,分析了净化等级和化学氛围对Ge单晶抛光片表面质量的影响,确定了Ge单晶抛光片的存放环境,保证了Ge单晶抛光片的交付可靠性。
- 杨洪星王雄龙索开南杨静陈晨
- 关键词：抛光片
- 锗抛光片清洗工艺研究被引量：1
- 2015年
- 采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果。利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物。
- 郭亚坤陈晨田原范红娜王云彪
- 关键词：清洗技术
- 6英寸低位错锗单晶生长热场设计被引量：1
- 2021年
- 锗片作为衬底材料已在空间太阳电池领域得到广泛的应用,新型锗基空间太阳能电池对锗片的需求由4英寸(1英寸=2.54 cm)提高到6英寸后,低位错锗单晶的生长难度增大。本文设计开发了一种适用于直拉法生长大尺寸、低位错锗单晶的双加热器热场系统,模拟研究了不同形状主加热器的热场分布,从而得到最优的热场环境。研究发现:渐变长度为L/h=1/2、渐变率α为65°的渐变型主加热器热场结构能够获得最佳的热场分布,有利于低位错单晶的生长。经验证,生长的锗单晶热应力较低,位错密度在310~450 cm^(-2)范围内。
- 陈晨赵堃韩焕鹏
- 关键词：锗单晶生长温度梯度位错密度
- 硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程
- 2015年
- 硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进行了考察。本次实验最终获得了几何参数良好、厚度满足要求且均匀的晶片。磨削过程会使弯曲度和翘曲度升高,可以通过化学腐蚀的方法降低弯曲度和翘曲度,化学腐蚀过程虽然使平整度升高,但可以通过机械/化学抛光的方法降低平整度。采用该减薄技术对直接键合硅片进行机械减薄具有可行性。
- 陈晨杨洪星何远东
- 关键词：平整度翘曲度
- 一种高效的锗单晶抛光片清洗液被引量：6
- 2016年
- 以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以雾值、表面粗糙度和表面颗粒度作为Ge单晶片表面均匀性的评价指标。通过Ge单晶片清洗实验,确定清洗液配比、清洗时间的较优组合。在优化后的清洗条件下,Ge单晶抛光片的雾值为2.33×10-8,表面粗糙度为0.16 nm,Ge单晶片的表面质量满足电池制作的要求。该清洗液清洗效果好,操作简便,是Ge单晶抛光片的一种较理想清洗液。
- 杨洪星陈晨王云彪何远东耿莉
- 关键词：表面粗糙度抛光片
- 磁控溅射ITO薄膜结构和性能的研究被引量：1
- 2014年
- 利用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了在衬靶间距为60 mm、衬底温度为350℃、溅射功率为120 W、溅射气压为0.2 Pa的条件下,氧氩比(O2/Ar)、溅射时间对ITO薄膜表面形貌、膜厚、沉积速率及光电性能的影响。通过实验和分析,最终确定了在玻璃衬底上制备ITO薄膜的最佳氧氩比和溅射时间:氧氩比为0.4:40,溅射时间为45 min,获得了方阻为2.55Ω/□,电阻率为1.46×10-4Ω·cm,可见光范围内平均透过率为81.2%的薄膜。
- 陈晨杨洪星唐文虎
- 关键词：ITO薄膜
- MEMS湿法工艺对硅衬底性能要求的探讨被引量：1
- 2017年
- 通过对比MEMS各向异性腐蚀中硅材料表现出的各类缺陷,研究硅材料性能对腐蚀工艺的影响。研究中发现,硅中原生缺陷是影响腐蚀效果的重要因素,而原生缺陷与晶体初始氧含量密切相关。同时,掺杂原子会造成晶格畸变,继而导致腐蚀缺陷的产生。
- 张伟才韩焕鹏陈晨
- 关键词：各向异性湿法腐蚀
