李锋
- 作品数：11 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信电气工程自然科学总论更多>>
- WDF单色仪色散曲线的标定
- 2004年
- WDF反射式单色仪是最常用的一种光谱分析仪器,在各种光电器件光谱特性及光谱灵敏度的测量过程中,WDF反射式单色仪是重要的测量工具之一,测量结果的准确性直接取决于WDF单色仪色散曲线的精度,因此,对WDF单色仪进行精确的定标,显的尤为重要.该实验对我校实验室中的WDF单色仪重新定标,将所测数据输入计算机进行分析处理,自动描点,绘图,并实现了数值查询的半自动化,可靠性得到进一步增强.
- 陈永申段书兴李锋
- 关键词：色散曲线波长
- 一种氧化物铁电存储单元及制备方法
- 本发明提供一种氧化物铁电存储单元，用成本低、抗氧化性强、无氧通道的金属间化合物材料作为导电氧扩散阻挡层以替代Ir(Pt)阻挡层，通过选择磁控溅射工艺参数实现阻挡层及相关氧化物电极的制备。这种氧化物铁电存储单元，由硅衬底、...
- 刘保亭李锋程春生赵庆勋闫正
- 文献传递
- 一种硅材料的钝化检测系统
- 本实用新型涉及硅材料检测技术领域，提出了一种硅材料的钝化检测系统，包括依次连接的输送装置、钝化装置和检测装置，钝化装置包括机箱、第一输送件、喷涂机和风干装置，第一输送件设置在机箱内，喷涂机设置在机箱内，位于第一输送件上方...
- 陈剑辉高青张旭宁李文恒陈静伟李锋杨学良郭建新许颖宋登元
- 少子寿命跟踪在异质结电池生产中的应用
- 2017年
- 异质结电池是量产的高效晶体硅太阳电池之一,开发简单有效的监控方案是规模化生产的前题.通过监测a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i),a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n^+),TCO/a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/aSi:H(i)/a-Si:H(n^+)三种异质结的有效少子寿命来监控太阳电池生产过程中各层薄膜的沉积质量,追踪电池性能,结果发现,各异质结的隐性开压(impliedVoc),赝填充因子(pFF)等在低于~2ms时,与寿命呈明显的正相关关系,而当少子寿命超过~2ms时,上述电参数变化很小,趋于饱和状态,最终的电池效率也遵循这一规律.这可以解释为硅材料在非平衡态下的费米能级之差随着表面复合的减少趋于极大值所致.研究表明,采用少子寿命跟踪的方法,可以判断非晶硅层的质量、透明氧化物薄膜沉积过程中对非晶硅的轰击损伤、分析和预测电池性能,同时可监控产线的稳定性和异常情况.
- 李锋史金超杨伟光于波宋登元于威
- 关键词：钝化异质结太阳电池
- 硅基外延La-Sr-Co-O/Pb-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O异质结的制备
- 2006年
- 在外延SrTiO3(STO)作为缓冲层的Si基片上,应用溶胶-凝胶法(sol-gel)和磁控溅射法,在550℃温度下制备了外延的La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3/La0.5Sr0.5CoO3(LSCO/PZT/LSCO)异质结。X射线衍射结果表明,LSCO/PZT/LSCO异质结是c向外延生长的。当外加电压为60 V时,LSCO/PZT/LSCO铁电电容器的剩余极化强度为50.3μC/cm2,当电压为30 V时,铁电电容器有效极化强度为80μC/cm2。其它电学性能表明,PZT铁电电容器具有较高的电阻率和脉冲宽度对极化强度的影响较弱。
- 刘保亭李锋闫正赵庆勋张未涛程春生乔晓东孙宏丽
- 关键词：溶胶-凝胶法异质结
- 硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究被引量：1
- 2006年
- 应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm。研究了异质结的结构和性能。实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍>108Ω.cm。
- 刘保亭程春生赵庆勋闫正马良李锋武德起
- 关键词：硅衬底锆钛酸铅溶胶-凝胶法厚膜
- 用于薄膜外延生长的单晶基片RHEED研究被引量：1
- 2006年
- 利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对微电子技术常用的Si,SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析.研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的影响,发现衬底的处理工艺非常重要.借助于反射式高能电子的衍射图样和理论分析,计算出与理论值相近的SrTiO3基片晶格常数.结果表明,高能电子衍射仪可以被用于计算生长在基片上的外延薄膜面内晶格常数.
- 武德起乔晓东李锋闫正赵庆勋王英龙刘保亭
- 关键词：RHEED衍射图样
- 硅基铁电电容器导电阻挡层的研究
- 采用磁控溅射法（magnetron sputtering），在Si基片上制备了可用于铁电存储器集成中的导电阻挡层Ni-Al薄膜和Ti-Al薄膜，结合溶胶-凝胶法（Sol-Gel）制备了Pt/La0.5Sr0.5CoO/P...
- 李锋
- 关键词：铁电电容器硅基片磁控溅射法溶胶-凝胶法铁电性能
- 文献传递
- 含NiTi阻挡层的硅基(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3铁电电容器异质结被引量：1
- 2007年
- 应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si(100)衬底上构造了(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结,研究了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的结构和物理性能。实验发现LSCO/PZT/LSCO铁电电容器具有良好的电学性能,在417kV/cm的驱动场强下,PZT铁电电容器具有较低的矫顽场强(125kV/cm)和较高的剩余极化强度(19.0μC/cm2),良好电容-电压特性(C-V)和保持特性,铁电电容器经过1010次反转后,极化强度没有明显下降,表明了非晶NiTi薄膜可以用作高密度硅基铁电存储器的扩散阻挡层。
- 刘保亭闫小兵程春生李锋马良赵庆勋闫正
- 关键词：NITI阻挡层
- 铁电薄膜光波导的研究进展被引量：1
- 2006年
- 文章介绍了铁电薄膜光波导的特点和表征方法,综述了铁电薄膜材料与制备方法,探讨了铁电薄膜光波导的发展趋势。
- 李锋刘保亭赵庆勋闫正
- 关键词：平面光波导光波导器件铁电薄膜
