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文献类型

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领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇天线
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  • 2篇带状线
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  • 2篇电磁屏蔽
  • 2篇电路
  • 2篇多层介质

机构

  • 22篇中国电子科技...

作者

  • 22篇熊文毅
  • 2篇张先举
  • 2篇李光
  • 2篇李凯
  • 2篇杨萍
  • 1篇章圣长
  • 1篇朱海帆
  • 1篇梁宇宏
  • 1篇黄建
  • 1篇李灿
  • 1篇朱宇
  • 1篇刘祚麟

传媒

  • 2篇电讯技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇2005全国...

年份

  • 9篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2018
  • 2篇2011
  • 1篇2007
  • 1篇2006
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有悬浮地结构的带状线高通滤波器
本申请的实施例提供了一种具有悬浮地结构的带状线高通滤波器,涉及滤波器设计技术领域,所述滤波器包括:安装介质基板、至少三个带状线体和与所述带状线体数目相对应的至少三个悬浮地结构;每个所述带状线体与每个所述悬浮地结构一一对应...
徐照旭樊茂宇费一帆钟鸣海蔡喆熊文毅
一种硅基三维封装TR组件
本发明涉及微波/毫米波技术领域,具体公开了一种硅基三维封装TR组件,包括发射层硅基转接组件、安装在发射层硅基转接组件上的下层硅帽、安装在下层硅帽上的接收层硅基转接组件、以及安装在接收层硅基转接组件上的上层硅帽;在所述发射...
罗里朱贵德熊文毅罗鑫陆晟晨王军会陈祥楼王鑫鸿蔡源
一种带状线传输线到同轴传输线的过渡结构
本发明公开了一种带状线传输线到同轴传输线的过渡结构,包括带状线,所述带状线的上方连通有上屏蔽腔,所述带状线的下方连通有下屏蔽腔,所述上屏蔽腔、带状线和下屏蔽腔共同设置在一多层电路板内,所述多层电路板的一侧电气连接有一过渡...
杜明何海卓周太富胡大成罗鑫熊文毅李鹏凯
Ku频段接收前端的高本振抑制设计被引量:1
2011年
介绍了Ku频段接收前端的高本振抑制设计方法。归纳并分析了高频本振信号的泄露途径,针对性地进行相应的电路和结构优化设计,实现了对泄露信号的高抑制度。最终研制完成的Ku频段接收前端对本振泄漏信号的抑制度最大达到96 dBc。5套样机的测试结果验证了分析与设计的有效性。
熊文毅
关键词:KU频段接收前端
射频介质集成同轴长距离传输结构
本发明提供一种射频介质集成同轴长距离传输结构,包括设定在多层介质板中的射频介质集成同轴以及印制在多层介质板内的若干个圆形金属铜箔,射频介质集成同轴由中心内导体金属化过孔以及围绕中心内导体金属化过孔圆形阵列分布的若干个外导...
杜明李鹏凯胡大成李颖凡周太富罗鑫熊文毅
同频统型功放芯片及模组级使用方法
本发明公开了一种同频统型功放芯片及模组级使用方法,该方法属于射频半导体技术领域,该芯片包括分布在芯片一侧的小功率放大支路和分布在芯片另一侧的大功率放大支路,小功率放大支路包括若干小功率漏极供电压点,大功率放大支路包括若干...
杜明何海卓周太富胡大成罗鑫熊文毅李鹏凯
Ka频段镜频抑制混频器
利用梁式引线二极管和薄膜工艺,研制成功Ka频段镜频抑制混频器。该混频器尺寸小、变频损耗低、镜频抑制度高,已应用于Ka频段接收机。
熊文毅
关键词:KA波段
一种TR组件的电磁屏蔽结构
本发明涉及TR组件电磁屏蔽技术领域,公开了一种TR组件的电磁屏蔽结构,包括从下至上依次设置的母板、射频接地层、介质固定帽,所述介质固定帽上开有一个或多个固定腔,所述固定腔内设有多通道数模混合幅相芯片和/或多通道收发芯片,...
朱贵德熊文毅任思罗鑫罗里陈祥楼陈帅
Ka频段相控阵天线T/R组件小型化的研制
本文介绍了Ka频段相控阵天线T/R组件小型化的研制方法。针对结构尺寸紧张,提出一种T/R组件低纵向尺寸集成方法,基于多层复合板技术,采用多通道多功能集成芯片技术,每个通道实现了信号的放大,相位控制,信号滤波的功能。采用嵌...
罗鑫熊文毅朱贵德
关键词:相控阵T/R组件KA频段
文献传递
大功率封装相控阵天线用金属封装外壳研制
2023年
提出了一种金属封装外壳,其由玻璃绝缘子、铝合金壳体和铝合金盖板组成,玻璃绝缘子金锡焊接到壳体上、盖板激光封焊到壳体上,以保证封装外壳的气密特性。该金属封装外壳采用类似陶瓷柱栅阵列(Ceramic column grid array,CCGA)的对外接口,支持自动化表贴工艺,具有高热导率特性,特别适用于大功率封装相控阵天线。对该金属封装外壳按封装相控阵天线的典型应用进行了仿真、加工、测试,结果表明,在0.5~18.0 GHz频带内,该金属封装外壳具有良好的驻波特性及传输性能,并具有高热导率特性。
杜明赵亮李鹏凯胡大成熊文毅
关键词:高热导率大功率表贴
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