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ULSI用新型高性能光刻胶的研究制: 集成电路的生产分为前工序和后工序,前工序是指芯片的加工制作过程,主要包括薄膜生长、图形转移、掺杂和温度处理等四项基本操作;后工序主要是指芯片的封装处理过程。光刻胶是集成电路生产前工序中必不可少的关键性材料,它是通过光学微...; 黄志齐; 文献传递

ULSI用193nm光刻胶的研究进展被引量：12: 2005年; 从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。; 郑金红黄志齐文武; 关键词：光刻胶

膜去溶进样ICP-MS法测定电子级高纯盐酸中痕量金属杂质被引量：2: 2005年; Determination of thirty four trace metal elements in electronic high purity hydrochloric acid by ICP-MS (Standard Condition, Plasma Screen Condition) with membrane desolvation was described. Matrix effects were compensated by adding rhodium as the internal standard. Detection limits is 0.1 to 100 ng/L; the recovery of the method is 90%-110%. Long term RSD was less than 5%. The results from ICP and ICP-MS are correspondent. ICP-MS improves the accuracy and efficiency of analyses.; 孟蓉李红华黄志齐; 关键词：PURITY TRACE DESOLVATION

膜去溶进样ICP-MS法测定电子级高纯盐酸中痕量金属杂质: Determination of thirty four trace metal elements in electronic high purity hydrochloric acid by ICP-MS (Stand...; 孟蓉李红华黄志齐; 文献传递

BP-215紫外正型光刻胶和BN-310紫外负型光刻胶: 马存恕黄志齐胡德甫郑金红刘世龙李绍玲焦小明郝志强王悦等; 一、成果内容简介：1.成果内容简介：紫外光刻胶是电子工业中大规模集成电路微细加工过程中不可缺少的基础性关键材料，其应用性能的优劣直接影响着电路线宽的粗细和成品率的高低。它又分为紫外正型光刻胶和紫外负型光刻胶。(1)BP-...; 关键词：; 关键词：集成电路材料光刻胶

193nm光刻胶的研制被引量：8: 2005年; 从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0.1μm,最小曝光量为26mJ/cm2,不但具有优异的分辨率和光敏性,而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性.; 郑金红黄志齐陈昕焦小明杨澜文武高子奇王艳梅; 关键词：光刻胶

ICP-MS法测定电子级高纯硝酸中的金属杂质被引量：7: 2001年; 用ICP MS的不同状态 (标准状态、冷等离子体技术、碰撞池技术 )直接测定电子级高纯硝酸中的 34个痕量金属杂质 ,用铟作内标可补偿基体效应 ,方法检出限为 0 1～ 70ng/L ,加标回收率为 90 %～ 1 1 0 % ,相对标准偏差为 4 0 % ,样品测定结果与ICP; 孟蓉李红华黄志齐

工作基准试剂.含量测定通则.称量滴定法: 本标准规定了用分析天平称量操作溶液或基准溶液的质量,以指示剂法确定终点的滴定分析方法。本方法测定结果的相对标准偏差为0.O2％。本标准适用于工作基准试剂的含量测定。; 王化圣黄志齐王素芳郝玉林; 关键词：化学试剂天平; 文献传递

膜去溶剂化进样ICP-MS法直接测定电子级高纯过氧化氢中痕量金属杂质被引量：6: 2002年; 用 ARIDU S膜去溶剂化进样器 ,在 ICP-MS的标准状态 (STD)和冷焰状态 (PS)测定电子级高纯过氧化氢中的 3 4个痕量金属杂质 ,用铟作内标可补偿基体效应 ,方法检出限为 0 .1～ 70 ng/L,加标回收率为 90 %～ 110 % ,长时间相对标准偏差 (RSD)小于 5 % ,ICP-MS测定结果与 ICP光谱测定结果基本一致 ,ICP-MS提高了分析的准确性和工作效率。; 孟蓉李红华黄志齐童淑丽; 关键词：金属杂质 ICP-MS 痕量分析

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黄志齐